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IRFH5301PbF 是一款高性能N沟道MOS管，采用紧凑型DFN5X6-8L封装，适用于现代电子产品的轻薄化设计需求。它能在30V的最大漏源电压(VDSS)下工作，并提供高达150A的连续漏极电流，展示了其卓越的电力传输性能。其特点在于仅2mΩ的导通电阻(RD(on))，有效减少功率损耗，提高系统效率，适用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等多种高功率应用场景，是实现高效电路设计的理想组件。