HXY
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商品列表
IRFR4105PBF-HXY
供应商: Anychip Mall
描述: IRFR4105PbF 的N沟道MOS管，采用TO-252-2L封装，适合于广泛的电源管理和电机驱动应用。该器件具备60V的额定电压VDSS和20A的连续电流ID处理能力，保证在高电压条件下稳定运行。其导通电阻RD(on)仅为27mΩ，有助于提升整体系统能效，减少功率损耗。这款MOS管凭借卓越的性能表现，被广泛应用于电源转换、逆变器、电动工具中，是高效能电子设计的理想组件。
供应商: Anychip Mall
描述: IRFR4105PbF 的N沟道MOS管，采用TO-252-2L封装，适合于广泛的电源管理和电机驱动应用。该器件具备60V的额定电压VDSS和20A的连续电流ID处理能力，保证在高电压条件下稳定运行。其导通电阻RD(on)仅为27mΩ，有助于提升整体系统能效，减少功率损耗。这款MOS管凭借卓越的性能表现，被广泛应用于电源转换、逆变器、电动工具中，是高效能电子设计的理想组件。
BSC160N10NS3G-HXY
供应商: Anychip Mall
描述: 这款N沟道消费级MOSFET采用DFN5X6-8L封装，特别为高功率密度应用设计。额定电压100V，能承载高达75A连续电流，适用于电源转换、电池管理系统及大电流开关场景，提供卓越的导通性能与热管理效率，是现代紧凑型电子设备的理想高性能半导体组件。
供应商: Anychip Mall
描述: 这款N沟道消费级MOSFET采用DFN5X6-8L封装，特别为高功率密度应用设计。额定电压100V，能承载高达75A连续电流，适用于电源转换、电池管理系统及大电流开关场景，提供卓越的导通性能与热管理效率，是现代紧凑型电子设备的理想高性能半导体组件。
IRF8714PBF-HXY
供应商: Anychip Mall
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IRF9389PBF-HXY
供应商: Anychip Mall
供应商: Anychip Mall
HC3M0015065K
供应商: Anychip Mall
描述: 该工业级N沟道MOSFET采用TO-247-4L封装，专为650V高电压、大电流应用设计。额定连续电流高达120A，适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，具备低导通电阻和高效散热性能，是现代电子设备实现高功率密度与能效的理想半导体组件。
供应商: Anychip Mall
描述: 该工业级N沟道MOSFET采用TO-247-4L封装，专为650V高电压、大电流应用设计。额定连续电流高达120A，适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，具备低导通电阻和高效散热性能，是现代电子设备实现高功率密度与能效的理想半导体组件。
IRF7313PBF-HXY
供应商: Anychip Mall
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CSD17577Q3A-HXY
供应商: Anychip Mall
供应商: Anychip Mall
LM2576T-12
供应商: Anychip Mall
描述: 【LM2576T-12 DC-DC降压电源芯片】采用经典TO-220-5L/D封装，专为高效电压转换应用。该型号提供稳定的12V输出，支持宽范围40V输入电压，持续提供高达3A的最大电流。适用于各类消费电子设备、智能硬件、通信模块等，确保恒定、可靠的电源供给。内置多重保护，低纹波、高效率，简化电路集成，提升系统整体稳定性。原装品质，为您的创新项目注入强劲电力支持！
供应商: Anychip Mall
描述: 【LM2576T-12 DC-DC降压电源芯片】采用经典TO-220-5L/D封装，专为高效电压转换应用。该型号提供稳定的12V输出，支持宽范围40V输入电压，持续提供高达3A的最大电流。适用于各类消费电子设备、智能硬件、通信模块等，确保恒定、可靠的电源供给。内置多重保护，低纹波、高效率，简化电路集成，提升系统整体稳定性。原装品质，为您的创新项目注入强劲电力支持！
HSD12-7
供应商: Anychip Mall
描述: 这款Uni单向保护器为单通道设计，拥有12V反向电压最大工作范围（VRWM），能够承受高达12A的峰值脉冲电流冲击（IPP），为电路安全提供坚实保障。其110pF的电容值表明，它更适合于不需要高速信号传递的应用场合，但仍能有效阻止过电压侵害，是保护精密电子设备的理想组件。
供应商: Anychip Mall
描述: 这款Uni单向保护器为单通道设计，拥有12V反向电压最大工作范围（VRWM），能够承受高达12A的峰值脉冲电流冲击（IPP），为电路安全提供坚实保障。其110pF的电容值表明，它更适合于不需要高速信号传递的应用场合，但仍能有效阻止过电压侵害，是保护精密电子设备的理想组件。
NVMFS5834NL-HXY
供应商: Anychip Mall
描述: NVMFS5834NL 是一款N沟道MOSFET，采用小型化DFN5X6-8L封装，以满足现代电子产品对空间和性能的双重需求。器件工作稳定，具备40V的漏源电压(VDSS)和高达60A的连续漏极电流(ID)，同时拥有低至6.9mΩ的导通电阻(RD(on))，有效减少能量损耗，提高系统效率。此款MOS管广泛应用在开关电源、马达驱动、高频开关电路等多个领域，是您实现高功率密度和优良能效的理想半导体组件。
供应商: Anychip Mall
描述: NVMFS5834NL 是一款N沟道MOSFET，采用小型化DFN5X6-8L封装，以满足现代电子产品对空间和性能的双重需求。器件工作稳定，具备40V的漏源电压(VDSS)和高达60A的连续漏极电流(ID)，同时拥有低至6.9mΩ的导通电阻(RD(on))，有效减少能量损耗，提高系统效率。此款MOS管广泛应用在开关电源、马达驱动、高频开关电路等多个领域，是您实现高功率密度和优良能效的理想半导体组件。