HXY

该工业级N沟道MOSFET采用TO-247-4L封装，专为650V高电压、大电流应用设计。额定连续电流高达120A，适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，具备低导通电阻和高效散热性能，是现代电子设备实现高功率密度与能效的理想半导体组件。