BSC160N10NS3G-HXY

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HXY
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这款N沟道消费级MOSFET采用DFN5X6-8L封装,特别为高功率密度应用设计。额定电压100V,能承载高达75A连续电流,适用于电源转换、电池管理系统及大电流开关场景,提供卓越的导通性能与热管理效率,是现代紧凑型电子设备的理想高性能半导体组件。