REALCHIP
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商品列表
RC1300
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2A 功率(Pd):1.56W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):75mΩ@4.5V,2A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2A 功率(Pd):1.56W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):75mΩ@4.5V,2A
RC3701T
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):30V;30V 连续漏极电流(Id):23A;15A 功率(Pd):17W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@10V,7A;10mΩ@10V,10A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):30V;30V 连续漏极电流(Id):23A;15A 功率(Pd):17W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@10V,7A;10mΩ@10V,10A
RC7002DW
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):115mA 功率(Pd):150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5Ω@10V,300MA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):115mA 功率(Pd):150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5Ω@10V,300MA
S8550
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):500mA 结构 PNP 耐压/V 25V 集电极电流(IC) 0.5A MPQ 3K
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):500mA 结构 PNP 耐压/V 25V 集电极电流(IC) 0.5A MPQ 3K