REALCHIP

RC1301
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.8A 功率(Pd)：400mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：160mΩ@4.5V,1A

RC2101
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

RC1012E
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:20V 电流:750mA 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):750mA 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):270mΩ@4.5V,0.65A 阈值电压(Vgs(th)@Id):540mV@250uA

RC4407
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

RC6802
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

RC6602
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.3A；3.5A 功率(Pd)：1.15W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：70mΩ@10V,3A；50mΩ@10V,3.5A

RC1553
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2A；1.5A 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：50mΩ@4.5V,1.2A；130mΩ@4.5V,0.8A

RC7801
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

RC3357
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：12V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：1.2W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：125@20mA,10V

RC7401
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)