REALCHIP

2N7002K
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2Ω@10V,250mA

SS24
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 直流反向耐压(Vr)：40V 耐压/V 40V 集电极电流(IC) 2A MPQ 3K

SS34
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 直流反向耐压(Vr)：40V 耐压/V 40V 集电极电流(IC) 3A MPQ 2K

MMBT5551
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,5V

1N4148WS
供应商: Anychip Mall
分类: 通用二极管
描述: 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 功率：200mW 反向恢复时间(trr)：4ns

SS8550
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型：PNP 集电极电流(Ic)：1.5A 结构 PNP 耐压/V 25V 集电极电流(IC) 1.5A MPQ 3K

1N4148W
供应商: Anychip Mall
分类: 通用二极管
描述: 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 功率：350mW 反向恢复时间(trr)：4ns

RC60P04Y
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>4A</SPAN> 功率(Pd)：3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：90mΩ@10V,<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>4A</SPAN>

RC03N06B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)Max@Vgs,Id)：100mΩ@10V,3A

MMBT3904
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：200mA 功率(Pd)：200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V 结构 NPN 耐压/V 40V 集电极电流(IC) 200mA MPQ 3K