CBI
The CBI-electric Group under the auspices of Reunert Holdings which is a leading South African company listed on the JSE in the industrial goods and services (electronic and electrical equipment) sectors. Reunert manages a number of businesses focused on electronics and electrical engineering and regularly ranks among the country's top companies.
商品列表
MM5Z8V2
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: M8(M8表示丝印)
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 稳压值Vz: 8.2V 原始制造商: China Base Electronics Technology Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 最大稳压值: 8.70V 长x宽/尺寸: 1.25 x 0.85mm 存储温度: -65~+150℃ 反向漏电流IR: 0.5μA 封装/外壳: SOD523(SC-79) 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃ Izk-稳定电流Min: 1mA 原产国家: China Hong Kong 最小稳压值: 7.70V 反向耐压VR: 5V 功率耗散（最大值）: 200mW 高度: 0.70mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: M8(M8表示丝印)
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 稳压值Vz: 8.2V 原始制造商: China Base Electronics Technology Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 最大稳压值: 8.70V 长x宽/尺寸: 1.25 x 0.85mm 存储温度: -65~+150℃ 反向漏电流IR: 0.5μA 封装/外壳: SOD523(SC-79) 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃ Izk-稳定电流Min: 1mA 原产国家: China Hong Kong 最小稳压值: 7.70V 反向耐压VR: 5V 功率耗散（最大值）: 200mW 高度: 0.70mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
MMBD4148CC
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管（小信号）
描述: 开关二极管VR=75V Trr=4ns Pd=350mW SOT23
安装类型: SMT 二极管配置: 双独立 品牌: CBI 总电容C: 4pF 原始制造商: China Base Electronics Technology Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1V 反向漏电流IR: 5μA 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China Hong Kong 反向峰值电压（最大值）: 100V 反向耐压VR: 75V 平均整流电流: 200mA 最小包装: 3000pcs 认证信息: RoHS 反向恢复时间(trr): 4ns 正向压降VF Max: 1V 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管（小信号）
描述: 开关二极管VR=75V Trr=4ns Pd=350mW SOT23
安装类型: SMT 二极管配置: 双独立 品牌: CBI 总电容C: 4pF 原始制造商: China Base Electronics Technology Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1V 反向漏电流IR: 5μA 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China Hong Kong 反向峰值电压（最大值）: 100V 反向耐压VR: 75V 平均整流电流: 200mA 最小包装: 3000pcs 认证信息: RoHS 反向恢复时间(trr): 4ns 正向压降VF Max: 1V 零件状态: Active
SS8050W
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 晶体管类型：NPN 集电极电流(Ic)：1.5A集射极击穿电压(Vceo)：25V 功率(Pd)：200mW
安装类型: SMT 品牌: CBI 功率耗散: 200mW 额定功率: 200mW 集射极击穿电压Vce(Max): 25V Vce饱和压降: 500mV 跃迁频率: 100MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.00 x 1.25mm 封装/外壳: SOT-323 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 25V 集电极电流 Ic: 1.5A 原产国家: China 高度: 0.90mm 零件状态: Active 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 120 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 晶体管类型：NPN 集电极电流(Ic)：1.5A集射极击穿电压(Vceo)：25V 功率(Pd)：200mW
安装类型: SMT 品牌: CBI 功率耗散: 200mW 额定功率: 200mW 集射极击穿电压Vce(Max): 25V Vce饱和压降: 500mV 跃迁频率: 100MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.00 x 1.25mm 封装/外壳: SOT-323 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 25V 集电极电流 Ic: 1.5A 原产国家: China 高度: 0.90mm 零件状态: Active 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 120 引脚数: 3Pin
MM5Z7V5
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 硅平面稳压二极管
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 正向电流: 10mA 是否无铅: Yes 稳压值Vz: 7.5V 原始制造商: China Base Electronics Technology Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 最大稳压值: 7.9V 存储温度: -65~+150℃ 反向漏电流IR: 0.5μA 封装/外壳: SOD523(SC-79) 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃ 原产国家: China Hong Kong 标准稳压值: 7.5V 最小稳压值: 7.00V 反向耐压VR: 4V 最小包装: 3000pcs 功率耗散（最大值）: 200mW 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 硅平面稳压二极管
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 正向电流: 10mA 是否无铅: Yes 稳压值Vz: 7.5V 原始制造商: China Base Electronics Technology Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 最大稳压值: 7.9V 存储温度: -65~+150℃ 反向漏电流IR: 0.5μA 封装/外壳: SOD523(SC-79) 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃ 原产国家: China Hong Kong 标准稳压值: 7.5V 最小稳压值: 7.00V 反向耐压VR: 4V 最小包装: 3000pcs 功率耗散（最大值）: 200mW 零件状态: Active
BAS16WT
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管（小信号）
描述: A6(A6表示丝印)
二极管配置: 独立式 安装类型: SMT 品牌: CBI 总电容C: 2pF 原始制造商: China Base International Enterprises Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1.25V@150mA 长x宽/尺寸: 1.25 x 0.85mm 封装/外壳: SOD523(SC-79) 反向漏电流IR: 1μA 工作温度: +150℃ 原产国家: China Hong Kong 反向耐压VR: 75V 平均整流电流: 500mA 功率耗散（最大值）: 150mW 认证信息: RoHS 反向恢复时间(trr): 6ns 正向压降VF Max: 1.25V 高度: 0.70mm 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管（小信号）
描述: A6(A6表示丝印)
二极管配置: 独立式 安装类型: SMT 品牌: CBI 总电容C: 2pF 原始制造商: China Base International Enterprises Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1.25V@150mA 长x宽/尺寸: 1.25 x 0.85mm 封装/外壳: SOD523(SC-79) 反向漏电流IR: 1μA 工作温度: +150℃ 原产国家: China Hong Kong 反向耐压VR: 75V 平均整流电流: 500mA 功率耗散（最大值）: 150mW 认证信息: RoHS 反向恢复时间(trr): 6ns 正向压降VF Max: 1.25V 高度: 0.70mm 引脚数: 2Pin
S8550SOT523
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：- 集电极截止电流(Icbo)：- 功率(Pd)：- 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：- 集射极击穿电压(Vceo)：- 特征频率(fT)：- 集电极电流(Ic)：- 工作温度(最小值)：- 晶体管类型：- SOT-523
安装类型: SMT 品牌: CBI 功率耗散: 200mW 额定功率: 200mW 集射极击穿电压Vce(Max): 25V Vce饱和压降: 600mV 跃迁频率: 150MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 1.60 x 0.80mm 封装/外壳: SOT-523-3 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 25V 集电极电流 Ic: 500mA 原产国家: China 高度: 0.75mm 零件状态: Active 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 120 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：- 集电极截止电流(Icbo)：- 功率(Pd)：- 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：- 集射极击穿电压(Vceo)：- 特征频率(fT)：- 集电极电流(Ic)：- 工作温度(最小值)：- 晶体管类型：- SOT-523
安装类型: SMT 品牌: CBI 功率耗散: 200mW 额定功率: 200mW 集射极击穿电压Vce(Max): 25V Vce饱和压降: 600mV 跃迁频率: 150MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 1.60 x 0.80mm 封装/外壳: SOT-523-3 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 25V 集电极电流 Ic: 500mA 原产国家: China 高度: 0.75mm 零件状态: Active 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 120 引脚数: 3Pin
S8550T
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：1.5A 功率(Pd)：0.625W
安装类型: SMT 品牌: CBI 功率耗散: 200mW 集电极-基极电压（VCBO）: -40V 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 25V Vce饱和压降: 500mV 极性: PNP 长x宽/尺寸: 1.70 x 0.90mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-523-3 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 500mA 集电极-发射极电压 VCEO: 25V 原产国家: China Hong Kong 发射极与基极之间电压 VEBO: -5V 高度: 0.80mm DC电流增益(hFE): 120~400 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：1.5A 功率(Pd)：0.625W
安装类型: SMT 品牌: CBI 功率耗散: 200mW 集电极-基极电压（VCBO）: -40V 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 25V Vce饱和压降: 500mV 极性: PNP 长x宽/尺寸: 1.70 x 0.90mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-523-3 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 500mA 集电极-发射极电压 VCEO: 25V 原产国家: China Hong Kong 发射极与基极之间电压 VEBO: -5V 高度: 0.80mm DC电流增益(hFE): 120~400 引脚数: 3Pin
TL431U
供应商: Anychip Mall
分类: 电压基准
描述: 可编程电压基准、线性稳压器和Vref SOT89
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: CBI 阴极电流: 1mA 精度: ±1% 输入电压: 2.48V~2.51V 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.60 x 2.60mm 输出类型: Adjustable 封装/外壳: SOT89-3 元件生命周期: Active 工作温度: -25℃~+85℃ 温度系数（温漂）: 50ppm/℃ 应用等级: Consumer 最小包装: 1000pcs 输出电压: 36V 高度: 1.50mm 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 电压基准
描述: 可编程电压基准、线性稳压器和Vref SOT89
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: CBI 阴极电流: 1mA 精度: ±1% 输入电压: 2.48V~2.51V 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.60 x 2.60mm 输出类型: Adjustable 封装/外壳: SOT89-3 元件生命周期: Active 工作温度: -25℃~+85℃ 温度系数（温漂）: 50ppm/℃ 应用等级: Consumer 最小包装: 1000pcs 输出电压: 36V 高度: 1.50mm 引脚数: 3Pin
BC847BW
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SOT323 100mA 100MHz 200mW
安装类型: SMT 品牌: CBI 功率耗散: 200mW 额定功率: 200mW 集电极-基极电压（VCBO）: 50V Vce饱和压降: 600mV 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 45V 跃迁频率: 100MHz 长x宽/尺寸: 2.20 x 1.35mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-323 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 100mA 集电极-发射极电压 VCEO: 45V 配置: 单路 原产国家: China 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V DC电流增益(hFE): 200 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SOT323 100mA 100MHz 200mW
安装类型: SMT 品牌: CBI 功率耗散: 200mW 额定功率: 200mW 集电极-基极电压（VCBO）: 50V Vce饱和压降: 600mV 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 45V 跃迁频率: 100MHz 长x宽/尺寸: 2.20 x 1.35mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-323 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 100mA 集电极-发射极电压 VCEO: 45V 配置: 单路 原产国家: China 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V DC电流增益(hFE): 200 晶体管类型: NPN
BZT52C16W
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 硅平面稳压二极管
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 正向电流: 10mA 稳压值Vz: 16V 品牌: CBI 功率: 500mW 包装: Tape/Reel 反向电流Izt: 5mA 正向压降VF: 900mV Zzt阻抗: 40Ω 长x宽/尺寸: 2.70 x 1.65mm 封装/外壳: SOD-123 反向漏电流IR: 100nA 工作温度: +150℃ 二极管类型: 单一 功率耗散（最大值）: 500mW 正向压降VF Max: 900mV 零件状态: Active 高度: 1.15mm 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 硅平面稳压二极管
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 正向电流: 10mA 稳压值Vz: 16V 品牌: CBI 功率: 500mW 包装: Tape/Reel 反向电流Izt: 5mA 正向压降VF: 900mV Zzt阻抗: 40Ω 长x宽/尺寸: 2.70 x 1.65mm 封装/外壳: SOD-123 反向漏电流IR: 100nA 工作温度: +150℃ 二极管类型: 单一 功率耗散（最大值）: 500mW 正向压降VF Max: 900mV 零件状态: Active 高度: 1.15mm 引脚数: 2Pin