S8550SOT523
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晶体管 > 通用三极管
描述
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：- 集电极截止电流(Icbo)：- 功率(Pd)：- 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：- 集射极击穿电压(Vceo)：- 特征频率(fT)：- 集电极电流(Ic)：- 工作温度(最小值)：- 晶体管类型：- SOT-523
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | CBI |
| 功率耗散: | 200mW |
| 额定功率: | 200mW |
| 集射极击穿电压Vce(Max): | 25V |
| Vce饱和压降: | 600mV |
| 跃迁频率: | 150MHz |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | 1.60 x 0.80mm |
| 封装/外壳: | SOT-523-3 |
| 工作温度: | +150℃ |
| 集电极-发射极电压 VCEO: | 25V |
| 集电极电流 Ic: | 500mA |
| 原产国家: | China |
| 高度: | 0.75mm |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | PNP |
| DC电流增益(hFE): | 120 |
| 引脚数: | 3Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 10+ | ¥0.0653 |
| 50+ | ¥0.0604 |
| 200+ | ¥0.0563 |
| 600+ | ¥0.0522 |
| 1500+ | ¥0.0490 |
| 3000+ | ¥0.0469 |
| 包装：10 | 库存：0 |