S8550SOT523

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分类
晶体管 > 通用三极管
描述
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):- 集电极截止电流(Icbo):- 功率(Pd):- 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):- 集射极击穿电压(Vceo):- 特征频率(fT):- 集电极电流(Ic):- 工作温度(最小值):- 晶体管类型:- SOT-523

物料参数

安装类型:SMT
品牌:CBI
功率耗散:200mW
额定功率:200mW
Vce饱和压降:600mV
集射极击穿电压Vce(Max):25V
跃迁频率:150MHz
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:1.60 x 0.80mm
封装/外壳:SOT-523-3
工作温度:+150℃
集电极电流 Ic:500mA
集电极-发射极电压 VCEO:25V
原产国家:China
高度:0.75mm
零件状态:Active
晶体管类型:PNP
DC电流增益(hFE):120
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
10+¥0.0653
50+¥0.0604
200+¥0.0563
600+¥0.0522
1500+¥0.0490
3000+¥0.0469
包装:10 库存:0