SS8050W

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晶体管 > 通用三极管
描述
晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):1.5A集射极击穿电压(Vceo):25V 功率(Pd):200mW

物料参数

安装类型:SMT
品牌:CBI
功率耗散:200mW
额定功率:200mW
集射极击穿电压Vce(Max):25V
Vce饱和压降:500mV
跃迁频率:100MHz
长x宽/尺寸:2.00 x 1.25mm
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SOT-323
工作温度:+150℃
集电极-发射极电压 VCEO:25V
集电极电流 Ic:1.5A
原产国家:China
高度:0.90mm
零件状态:Active
晶体管类型:NPN
DC电流增益(hFE):120
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
10+¥0.0960
50+¥0.0888
200+¥0.0828
600+¥0.0768
1500+¥0.0720
3000+¥0.0690
包装:10 库存:1340
价格梯度 价格
20+¥0.0995
200+¥0.0866
600+¥0.0795
3000+¥0.0726
9000+¥0.0689
21000+¥0.0669
包装:20 库存:23000