VANGUARD
Vanguard Electronics, an acknowledged leader in space level magnetics, power transformer and power inductor industry, has manufactured the highest quality electronic components for defense, space, commercial and industrial applications since 1952.
商品列表
VSD007N06MS
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：85A 功率(Pd)：100W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9mΩ@4.5V,10A N沟道 60V 85A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：85A 功率(Pd)：100W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9mΩ@4.5V,10A N沟道 60V 85A
VS3508AE
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：47A 功率(Pd)：38W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@4.5V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA P沟道 -30V -47A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：47A 功率(Pd)：38W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@4.5V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA P沟道 -30V -47A
VS5810AS
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12mΩ@4.5V,5A N沟道 55V 15A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12mΩ@4.5V,5A N沟道 55V 15A
VSD013N10MS
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：52A 功率(Pd)：78W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：15mΩ@4.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA N沟道 100V 52A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：52A 功率(Pd)：78W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：15mΩ@4.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA N沟道 100V 52A