VSD013N10MS
品牌
供应商
分类
场效应管(MOSFET)
描述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：52A 功率(Pd)：78W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：15mΩ@4.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA N沟道 100V 52A