IXYS
IXYS is a pioneer in the development of power semiconductors, integrated circuits and RF systems that effectively monitor electrical voltage to produce maximum effect with least expenditure of energy.
商品列表
IXA4I1200UC-TUB
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: DISC IGBT XPT-GENX3 TO-252D
制造商: IXYS 系列: XPT™ 包装: 管件 零件状态: 在售 IGBT 类型: PT 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.1V @ 15V，3A 开关能量: 400µJ（开），300µJ（关） 输入类型: 标准 25°C 时 Td（开/关）值: 70ns/250ns 测试条件: 600V，3A，330 欧姆，15V 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装: TO-252，（D-Pak） 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 9 A 功率 - 最大值: 45 W 栅极电荷: 12 nC 基本产品编号: IXA4I1200
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: DISC IGBT XPT-GENX3 TO-252D
制造商: IXYS 系列: XPT™ 包装: 管件 零件状态: 在售 IGBT 类型: PT 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.1V @ 15V，3A 开关能量: 400µJ（开），300µJ（关） 输入类型: 标准 25°C 时 Td（开/关）值: 70ns/250ns 测试条件: 600V，3A，330 欧姆，15V 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装: TO-252，（D-Pak） 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 9 A 功率 - 最大值: 45 W 栅极电荷: 12 nC 基本产品编号: IXA4I1200
IXFN90N30
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B
制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 90A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 33 毫欧 @ 45A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 8mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 560W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 供应商器件封装: SOT-227B 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 漏源电压（Vdss）: 300 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 360 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 10000 pF @ 25 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B
制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 90A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 33 毫欧 @ 45A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 8mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 560W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 供应商器件封装: SOT-227B 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 漏源电压（Vdss）: 300 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 360 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 10000 pF @ 25 V
SM451K10L
供应商: DigiKey
分类: 太阳能电池
描述: 单晶 Solar Cell 980mW 6.91V
类别: 传感器，变送器 制造商: IXYS 系列: IXOLAR™ 零件状态: 在售 功率（W）-最大值: 980mW 电流@Pmpp: 176mA 电压@Pmpp: 5.58V 电流-短路（Isc）: 187mA 类型: 单晶 电压-开路: 6.91V 工作温度: -40°C ~ 90°C 封装/外壳: 电池 大小/尺寸: 3.50 长 x 2.64 宽 x 0.08 高（89.0mm x 67.0mm x 2.0mm）
供应商: DigiKey
分类: 太阳能电池
描述: 单晶 Solar Cell 980mW 6.91V
类别: 传感器，变送器 制造商: IXYS 系列: IXOLAR™ 零件状态: 在售 功率（W）-最大值: 980mW 电流@Pmpp: 176mA 电压@Pmpp: 5.58V 电流-短路（Isc）: 187mA 类型: 单晶 电压-开路: 6.91V 工作温度: -40°C ~ 90°C 封装/外壳: 电池 大小/尺寸: 3.50 长 x 2.64 宽 x 0.08 高（89.0mm x 67.0mm x 2.0mm）
DSA50C100HB
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO247
制造商: IXYS 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 25A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247AD 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 100 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 25 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 450 µA @ 100 V 基本产品编号: DSA50C100
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO247
制造商: IXYS 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 25A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247AD 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 100 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 25 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 450 µA @ 100 V 基本产品编号: DSA50C100
IXSX50N60AU1
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 600V 75A 300W PLUS247
制造商: IXYS 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 IGBT 类型: - 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.7V @ 15V，50A 开关能量: 6mJ（关） 输入类型: 标准 25°C 时 Td（开/关）值: 70ns/200ns 测试条件: 480V，50A，2.7 欧姆，15V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: PLUS247™-3 电压 - 集射极击穿（最大值）: 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 75 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 200 A 功率 - 最大值: 300 W 栅极电荷: 190 nC 反向恢复时间 (trr): 50 ns 基本产品编号: IXS*50N60
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 600V 75A 300W PLUS247
制造商: IXYS 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 IGBT 类型: - 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.7V @ 15V，50A 开关能量: 6mJ（关） 输入类型: 标准 25°C 时 Td（开/关）值: 70ns/200ns 测试条件: 480V，50A，2.7 欧姆，15V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: PLUS247™-3 电压 - 集射极击穿（最大值）: 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 75 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 200 A 功率 - 最大值: 300 W 栅极电荷: 190 nC 反向恢复时间 (trr): 50 ns 基本产品编号: IXS*50N60
MID300-12A4
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MOD 1200V 330A 1380W Y3DCB
制造商: IXYS 系列: - 包装: 盒 零件状态: 有源 IGBT 类型: NPT 配置: 单路 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.7V @ 15V，200A 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 无 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: Y3-DCB 供应商器件封装: Y3-DCB 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 330 A 功率 - 最大值: 1380 W 电流 - 集电极截止（最大值）: 13 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 13 nF @ 25 V 基本产品编号: MID300
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MOD 1200V 330A 1380W Y3DCB
制造商: IXYS 系列: - 包装: 盒 零件状态: 有源 IGBT 类型: NPT 配置: 单路 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.7V @ 15V，200A 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 无 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: Y3-DCB 供应商器件封装: Y3-DCB 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 330 A 功率 - 最大值: 1380 W 电流 - 集电极截止（最大值）: 13 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 13 nF @ 25 V 基本产品编号: MID300
IXCP01N90E
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 900V 250MA TO220AB
制造商: IXYS 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 250mA（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 80 欧姆 @ 50mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 25µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 40W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220AB 封装/外壳: TO-220-3 漏源电压（Vdss）: 900 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 7.5 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 133 pF @ 25 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 900V 250MA TO220AB
制造商: IXYS 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 250mA（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 80 欧姆 @ 50mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 25µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 40W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220AB 封装/外壳: TO-220-3 漏源电压（Vdss）: 900 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 7.5 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 133 pF @ 25 V
MMO175-12IO7
供应商: DigiKey
分类: 晶闸管 - SCR - 模块
描述: MODULE AC CONTROL 1200V ECO-PAC1
制造商: IXYS 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 结构: 1 相控制器 - 全部为 SCR SCR 数，二极管: 2 SCRs 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm): 1500A，1600A 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 电压 - 断态: 1.2 kV 电流 - 通态 (It (AV))（最大值）: 80 A 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）: 125 A 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）: 1.5 V 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）: 100 mA 电流 - 保持 (Ih)（最大值）: 200 mA 基本产品编号: MMO175
供应商: DigiKey
分类: 晶闸管 - SCR - 模块
描述: MODULE AC CONTROL 1200V ECO-PAC1
制造商: IXYS 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 结构: 1 相控制器 - 全部为 SCR SCR 数，二极管: 2 SCRs 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm): 1500A，1600A 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 电压 - 断态: 1.2 kV 电流 - 通态 (It (AV))（最大值）: 80 A 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）: 125 A 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）: 1.5 V 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）: 100 mA 电流 - 保持 (Ih)（最大值）: 200 mA 基本产品编号: MMO175
IXTA74N15T
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 150V 74A TO263
制造商: IXYS 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 74A（Tc） 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: - FET 功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-263（IXTA） 封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 漏源电压（Vdss）: 150 V 基本产品编号: IXTA74
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 150V 74A TO263
制造商: IXYS 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 74A（Tc） 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: - FET 功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-263（IXTA） 封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 漏源电压（Vdss）: 150 V 基本产品编号: IXTA74
MCC310-14IO1
供应商: DigiKey
分类: 晶闸管 - SCR - 模块
描述: MOD THYRISTOR DUAL 1400V Y2-DCB
制造商: IXYS 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 结构: 串联 - 全部为 SCR SCR 数，二极管: 2 SCRs 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm): 9200A，9800A 工作温度: -40°C ~ 140°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 电压 - 断态: 1.4 kV 电流 - 通态 (It (AV))（最大值）: 320 A 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）: 500 A 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）: 2 V 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）: 150 mA 电流 - 保持 (Ih)（最大值）: 150 mA 基本产品编号: MC*310
供应商: DigiKey
分类: 晶闸管 - SCR - 模块
描述: MOD THYRISTOR DUAL 1400V Y2-DCB
制造商: IXYS 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 结构: 串联 - 全部为 SCR SCR 数，二极管: 2 SCRs 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm): 9200A，9800A 工作温度: -40°C ~ 140°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 电压 - 断态: 1.4 kV 电流 - 通态 (It (AV))（最大值）: 320 A 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）: 500 A 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）: 2 V 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）: 150 mA 电流 - 保持 (Ih)（最大值）: 150 mA 基本产品编号: MC*310