IXYS
IXYS is a pioneer in the development of power semiconductors, integrated circuits and RF systems that effectively monitor electrical voltage to produce maximum effect with least expenditure of energy.
商品列表
VCK105-12IO7
供应商: DigiKey
分类: 晶闸管 - SCR - 模块
描述: MOD THYRISTOR 1200V 105A ECOPAC2
制造商: IXYS 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停产 结构: 共阴极 - 全部为 SCR SCR 数，二极管: 2 SCRs 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm): 2250A，2400A 工作温度: -40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: ECO-PAC2 电压 - 断态: 1.2 kV 电流 - 通态 (It (AV))（最大值）: 105 A 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）: 180 A 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）: 1.5 V 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）: 150 mA 电流 - 保持 (Ih)（最大值）: 200 mA 基本产品编号: VC*105
供应商: DigiKey
分类: 晶闸管 - SCR - 模块
描述: MOD THYRISTOR 1200V 105A ECOPAC2
制造商: IXYS 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停产 结构: 共阴极 - 全部为 SCR SCR 数，二极管: 2 SCRs 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm): 2250A，2400A 工作温度: -40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: ECO-PAC2 电压 - 断态: 1.2 kV 电流 - 通态 (It (AV))（最大值）: 105 A 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）: 180 A 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）: 1.5 V 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）: 150 mA 电流 - 保持 (Ih)（最大值）: 200 mA 基本产品编号: VC*105
MDC700-22IO1W
供应商: DigiKey
分类: 晶闸管 - SCR - 模块
描述: DIODE MODULE 2200V WC-500
制造商: IXYS 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 停產 结构: 串联 - SCR/二极管 SCR 数，二极管: 1 SCR，1 个二极管 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm): 18200 @ 50MHz 工作温度: - 安装类型: 底座安装 封装/外壳: WC-500 电压 - 断态: 2.2 kV 电流 - 通态 (It (AV))（最大值）: 700 A 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）: 1331 A 基本产品编号: MDC700
供应商: DigiKey
分类: 晶闸管 - SCR - 模块
描述: DIODE MODULE 2200V WC-500
制造商: IXYS 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 停產 结构: 串联 - SCR/二极管 SCR 数，二极管: 1 SCR，1 个二极管 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm): 18200 @ 50MHz 工作温度: - 安装类型: 底座安装 封装/外壳: WC-500 电压 - 断态: 2.2 kV 电流 - 通态 (It (AV))（最大值）: 700 A 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）: 1331 A 基本产品编号: MDC700
IXSP10N60B2D1
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 600V 20A 100W TO220AB
制造商: IXYS 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停產 IGBT 类型: PT 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.5V @ 15V，10A 开关能量: 430µJ（关） 输入类型: 标准 25°C 时 Td（开/关）值: 30ns/180ns 测试条件: 480V，10A，30 欧姆，15V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-3 供应商器件封装: TO-220AB 电压 - 集射极击穿（最大值）: 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 20 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 30 A 功率 - 最大值: 100 W 栅极电荷: 17 nC 反向恢复时间 (trr): 25 ns 基本产品编号: IXS*10N60
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 600V 20A 100W TO220AB
制造商: IXYS 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停產 IGBT 类型: PT 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.5V @ 15V，10A 开关能量: 430µJ（关） 输入类型: 标准 25°C 时 Td（开/关）值: 30ns/180ns 测试条件: 480V，10A，30 欧姆，15V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-3 供应商器件封装: TO-220AB 电压 - 集射极击穿（最大值）: 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 20 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 30 A 功率 - 最大值: 100 W 栅极电荷: 17 nC 反向恢复时间 (trr): 25 ns 基本产品编号: IXS*10N60
VBO55-12NO7
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
描述: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 55A FO-T-A
制造商: IXYS 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停產 二极管类型: Single Phase 技术: 标准 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: FO-T-A 供应商器件封装: FO-T-A 电压 - 峰值反向（最大值）: 1.2 kV 电流 - 平均整流 (Io): 55 A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.6 V @ 150 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 µA @ 1200 V 基本产品编号: VBO55
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
描述: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 55A FO-T-A
制造商: IXYS 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停產 二极管类型: Single Phase 技术: 标准 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: FO-T-A 供应商器件封装: FO-T-A 电压 - 峰值反向（最大值）: 1.2 kV 电流 - 平均整流 (Io): 55 A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.6 V @ 150 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 µA @ 1200 V 基本产品编号: VBO55
MCC250-08IO1
供应商: DigiKey
分类: 晶闸管 - SCR - 模块
描述: MOD THYRISTOR DUAL 800V Y2-DCB
制造商: IXYS 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停产 结构: 串联 - 全部为 SCR SCR 数，二极管: 2 SCRs 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm): 9000A，9600A 工作温度: -40°C ~ 140°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: Y2-DCB 电压 - 断态: 800 V 电流 - 通态 (It (AV))（最大值）: 287 A 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）: 450 A 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）: 2 V 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）: 150 mA 电流 - 保持 (Ih)（最大值）: 150 mA 基本产品编号: MC*250
供应商: DigiKey
分类: 晶闸管 - SCR - 模块
描述: MOD THYRISTOR DUAL 800V Y2-DCB
制造商: IXYS 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停产 结构: 串联 - 全部为 SCR SCR 数，二极管: 2 SCRs 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm): 9000A，9600A 工作温度: -40°C ~ 140°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: Y2-DCB 电压 - 断态: 800 V 电流 - 通态 (It (AV))（最大值）: 287 A 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）: 450 A 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）: 2 V 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）: 150 mA 电流 - 保持 (Ih)（最大值）: 150 mA 基本产品编号: MC*250
DSI45-16AR
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GP 1.6KV 48A ISOPLUS247
制造商: IXYS 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 48A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 通孔 封装/外壳: ISOPLUS247™ 供应商器件封装: ISOPLUS247™ 工作温度 - 结: -40°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1600 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.18 V @ 40 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 1600 V 基本产品编号: DSI45
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GP 1.6KV 48A ISOPLUS247
制造商: IXYS 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 48A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 通孔 封装/外壳: ISOPLUS247™ 供应商器件封装: ISOPLUS247™ 工作温度 - 结: -40°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1600 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.18 V @ 40 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 1600 V 基本产品编号: DSI45
IXGN72N60A3
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MOD 600V 160A 360W SOT227B
制造商: IXYS 系列: GenX3™ 包装: 管件 零件状态: 停产 IGBT 类型: PT 配置: 单路 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 1.35V @ 15V，60A 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 无 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227B 电压 - 集射极击穿（最大值）: 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 160 A 功率 - 最大值: 360 W 电流 - 集电极截止（最大值）: 75 µA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 6.6 nF @ 25 V 基本产品编号: IXG*72N60
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MOD 600V 160A 360W SOT227B
制造商: IXYS 系列: GenX3™ 包装: 管件 零件状态: 停产 IGBT 类型: PT 配置: 单路 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 1.35V @ 15V，60A 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 无 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227B 电压 - 集射极击穿（最大值）: 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 160 A 功率 - 最大值: 360 W 电流 - 集电极截止（最大值）: 75 µA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 6.6 nF @ 25 V 基本产品编号: IXG*72N60
MII145-12A3
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MODULE 1200V 160A 700W Y4M5
制造商: IXYS 系列: - 包装: 盒 零件状态: 有源 IGBT 类型: NPT 配置: 半桥 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.7V @ 15V，100A 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 无 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: Y4-M5 供应商器件封装: Y4-M5 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 160 A 功率 - 最大值: 700 W 电流 - 集电极截止（最大值）: 6 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 6.5 nF @ 25 V 基本产品编号: MII145
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MODULE 1200V 160A 700W Y4M5
制造商: IXYS 系列: - 包装: 盒 零件状态: 有源 IGBT 类型: NPT 配置: 半桥 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.7V @ 15V，100A 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 无 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: Y4-M5 供应商器件封装: Y4-M5 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 160 A 功率 - 最大值: 700 W 电流 - 集电极截止（最大值）: 6 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 6.5 nF @ 25 V 基本产品编号: MII145
IX4R11S3
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 栅极驱动器
描述: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
制造商: IXYS 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停產 驱动配置: 半桥 通道类型: 独立式 栅极类型: IGBT，N 沟道 MOSFET 电压 - 供电: 10V ~ 35V 逻辑电压 - VIL，VIH: 6V，7V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）: 4A，4A 输入类型: 非反相 上升/下降时间（典型值）: 23ns，22ns 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 16-SOIC（0.295，7.50mm 宽） 供应商器件封装: 16-SOIC 驱动器数: 2 高压侧电压 - 最大值（自举）: 650 V 基本产品编号: IX4*11
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 栅极驱动器
描述: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
制造商: IXYS 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停產 驱动配置: 半桥 通道类型: 独立式 栅极类型: IGBT，N 沟道 MOSFET 电压 - 供电: 10V ~ 35V 逻辑电压 - VIL，VIH: 6V，7V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）: 4A，4A 输入类型: 非反相 上升/下降时间（典型值）: 23ns，22ns 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 16-SOIC（0.295，7.50mm 宽） 供应商器件封装: 16-SOIC 驱动器数: 2 高压侧电压 - 最大值（自举）: 650 V 基本产品编号: IX4*11