IXYS
IXYS is a pioneer in the development of power semiconductors, integrated circuits and RF systems that effectively monitor electrical voltage to produce maximum effect with least expenditure of energy.
商品列表
IXFT58N20Q
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 200V 58A TO268
制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 58A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 40 毫欧 @ 29A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 4mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 300W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-268 封装/外壳: TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 漏源电压（Vdss）: 200 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 140 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3600 pF @ 25 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 200V 58A TO268
制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 58A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 40 毫欧 @ 29A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 4mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 300W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-268 封装/外壳: TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 漏源电压（Vdss）: 200 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 140 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3600 pF @ 25 V
IXTP6N50P
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
制造商: IXYS 系列: PolarHV™ 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.1 欧姆 @ 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 50µA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 100W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220AB 封装/外壳: TO-220-3 漏源电压（Vdss）: 500 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 14.6 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 740 pF @ 25 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
制造商: IXYS 系列: PolarHV™ 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.1 欧姆 @ 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 50µA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 100W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220AB 封装/外壳: TO-220-3 漏源电压（Vdss）: 500 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 14.6 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 740 pF @ 25 V
IXFC13N50
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220
制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 400 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 2.5mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 140W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: ISOPLUS220™ 封装/外壳: ISOPLUS220™ 漏源电压（Vdss）: 500 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 120 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2800 pF @ 25 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220
制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 400 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 2.5mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 140W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: ISOPLUS220™ 封装/外壳: ISOPLUS220™ 漏源电压（Vdss）: 500 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 120 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2800 pF @ 25 V
IXTA240N055T7
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 55V 240A TO263-7
制造商: IXYS 系列: TrenchMV™ 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 240A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.6 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 480W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-263-7（IXTA..7） 封装/外壳: TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片） 漏源电压（Vdss）: 55 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 170 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 7600 pF @ 25 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 55V 240A TO263-7
制造商: IXYS 系列: TrenchMV™ 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 240A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.6 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 480W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-263-7（IXTA..7） 封装/外壳: TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片） 漏源电压（Vdss）: 55 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 170 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 7600 pF @ 25 V
IXBOD1-28RD
供应商: DigiKey
分类: TVS - 混合技术
描述: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2800V
制造商: IXYS 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 电压 - 箝位: 2800V（2.8kV） 技术: 混合技术 应用: 高电压 安装类型: PCB，通孔 封装/外壳: 径向 供应商器件封装: BOD 电路数: 3
供应商: DigiKey
分类: TVS - 混合技术
描述: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2800V
制造商: IXYS 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 电压 - 箝位: 2800V（2.8kV） 技术: 混合技术 应用: 高电压 安装类型: PCB，通孔 封装/外壳: 径向 供应商器件封装: BOD 电路数: 3
IXGH2N250
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 2500V 5.5A 32W TO247
Category: Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsSingle IGBTs Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max): 2500 V SwitchingEnergy: - SupplierDevicePackage: TO-247AD BaseProductNumber: IXGH2 Mfr: IXYS CaliforniaProp65: GateCharge: 10.5 nC Power-Max: 32 W RoHSStatus: ROHS3 Compliant OperatingTemperature: -55°C ~ 150°C (TJ) ProductStatus: Active Package/Case: TO-247-3 MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected MountingType: Through Hole Current-CollectorPulsed(Icm): 13.5 A Vce(on)(Max)@Vge,Ic: 3.1V @ 15V, 2A Series: - Td(on/off)@25°C: - InputType: Standard Current-Collector(Ic)(Max): 5.5 A TestCondition: - Package: Tube HTSUS: 8541.29.0095 IGBTType: -
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 2500V 5.5A 32W TO247
Category: Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsSingle IGBTs Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max): 2500 V SwitchingEnergy: - SupplierDevicePackage: TO-247AD BaseProductNumber: IXGH2 Mfr: IXYS CaliforniaProp65: GateCharge: 10.5 nC Power-Max: 32 W RoHSStatus: ROHS3 Compliant OperatingTemperature: -55°C ~ 150°C (TJ) ProductStatus: Active Package/Case: TO-247-3 MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected MountingType: Through Hole Current-CollectorPulsed(Icm): 13.5 A Vce(on)(Max)@Vge,Ic: 3.1V @ 15V, 2A Series: - Td(on/off)@25°C: - InputType: Standard Current-Collector(Ic)(Max): 5.5 A TestCondition: - Package: Tube HTSUS: 8541.29.0095 IGBTType: -
IXFH230N075T2
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 75V 230A TO247AD
Vgs(th)(Max)@Id: 4V @ 250µA Category: Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs FETFeature: - DriveVoltage(MaxRdsOn,MinRdsOn): 10V GateCharge(Qg)(Max)@Vgs: 178 nC @ 10 V SupplierDevicePackage: TO-247AD (IXFH) BaseProductNumber: IXFH230 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C: 230A (Tc) Vgs(Max): ±20V Mfr: IXYS CaliforniaProp65: PowerDissipation(Max): 480W (Tc) RoHSStatus: ROHS3 Compliant DraintoSourceVoltage(Vdss): 75 V OperatingTemperature: -55°C ~ 175°C (TJ) ProductStatus: Active RdsOn(Max)@Id,Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V Package/Case: TO-247-3 MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected MountingType: Through Hole InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds: 10500 pF @ 25 V Series: HiPerFET™, TrenchT2™ FETType: N-Channel Package: Tube HTSUS: 8541.29.0095
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 75V 230A TO247AD
Vgs(th)(Max)@Id: 4V @ 250µA Category: Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs FETFeature: - DriveVoltage(MaxRdsOn,MinRdsOn): 10V GateCharge(Qg)(Max)@Vgs: 178 nC @ 10 V SupplierDevicePackage: TO-247AD (IXFH) BaseProductNumber: IXFH230 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C: 230A (Tc) Vgs(Max): ±20V Mfr: IXYS CaliforniaProp65: PowerDissipation(Max): 480W (Tc) RoHSStatus: ROHS3 Compliant DraintoSourceVoltage(Vdss): 75 V OperatingTemperature: -55°C ~ 175°C (TJ) ProductStatus: Active RdsOn(Max)@Id,Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V Package/Case: TO-247-3 MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected MountingType: Through Hole InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds: 10500 pF @ 25 V Series: HiPerFET™, TrenchT2™ FETType: N-Channel Package: Tube HTSUS: 8541.29.0095
IXGH24N120C3H1
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 1200V 48A 250W TO247AD
制造商: IXYS 系列: GenX3™ 包装: 管件 零件状态: 有源 IGBT 类型: PT 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4.2V @ 15V，20A 开关能量: 1.16mJ（开），470µJ（关） 输入类型: 标准 25°C 时 Td（开/关）值: 16ns/93ns 测试条件: 600V，20A，5 欧姆，15V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247AD（IXGH） 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 96A 功率 - 最大值: 250W 栅极电荷: 79nC 反向恢复时间 (trr): 70ns 基本产品编号: IXG*24N120
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 1200V 48A 250W TO247AD
制造商: IXYS 系列: GenX3™ 包装: 管件 零件状态: 有源 IGBT 类型: PT 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4.2V @ 15V，20A 开关能量: 1.16mJ（开），470µJ（关） 输入类型: 标准 25°C 时 Td（开/关）值: 16ns/93ns 测试条件: 600V，20A，5 欧姆，15V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247AD（IXGH） 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 96A 功率 - 最大值: 250W 栅极电荷: 79nC 反向恢复时间 (trr): 70ns 基本产品编号: IXG*24N120
MIXA30W1200TMH
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MOD 1200V 43A MINIPACK2
制造商: IXYS 系列: - 包装: 盒 零件状态: 停產 IGBT 类型: PT 配置: 三相反相器，带制动器 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.1V @ 15V，25A 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 是 工作温度: -40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: MiniPack2 供应商器件封装: MiniPack2 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 43 A 功率 - 最大值: 150 W 电流 - 集电极截止（最大值）: 150 µA
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MOD 1200V 43A MINIPACK2
制造商: IXYS 系列: - 包装: 盒 零件状态: 停產 IGBT 类型: PT 配置: 三相反相器，带制动器 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.1V @ 15V，25A 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 是 工作温度: -40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: MiniPack2 供应商器件封装: MiniPack2 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 43 A 功率 - 最大值: 150 W 电流 - 集电极截止（最大值）: 150 µA
VBO20-16AO2
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
描述: BRIDGE RECT 1P 1.6KV 31A FO-A
制造商: IXYS 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管类型: Single Phase 技术: 雪崩 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: QC 端子 封装/外壳: 4-方形，FO-A 供应商器件封装: FO-A 电压 - 峰值反向（最大值）: 1.6 kV 电流 - 平均整流 (Io): 31 A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.8 V @ 55 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 300 µA @ 1600 V 基本产品编号: VBO20
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
描述: BRIDGE RECT 1P 1.6KV 31A FO-A
制造商: IXYS 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管类型: Single Phase 技术: 雪崩 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: QC 端子 封装/外壳: 4-方形，FO-A 供应商器件封装: FO-A 电压 - 峰值反向（最大值）: 1.6 kV 电流 - 平均整流 (Io): 31 A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.8 V @ 55 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 300 µA @ 1600 V 基本产品编号: VBO20