IXFC13N50

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分立半导体产品>>晶体管 - FET,MOSFET - 单个
描述
MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220

物料参数

制造商:IXYS
系列:HiPerFET™
包装:管件
零件状态:停產
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):400 毫欧 @ 6.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 2.5mA
Vgs(最大值):±20V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):140W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
供应商器件封装:ISOPLUS220™
封装/外壳:ISOPLUS220™
漏源电压(Vdss):500 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):120 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2800 pF @ 25 V
价格梯度 价格
50+¥3.8198
包装:50 库存:0