SPS
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SM4828APRL
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:2个N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):15A 功率(Pd):30W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):2.15nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):450pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds):25pF@15V 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:2个N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):15A 功率(Pd):30W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):2.15nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):450pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds):25pF@15V 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
SM480T9RL
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):25A 功率(Pd):21W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):23.1mΩ@10V,20A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):25A 功率(Pd):21W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):23.1mΩ@10V,20A
2SA1943T7TL
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:230V 电流:15A PNP 晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):15A 集射极击穿电压(Vceo):230V 功率(Pd):150W
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:230V 电流:15A PNP 晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):15A 集射极击穿电压(Vceo):230V 功率(Pd):150W
SM418T9RL
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):36A 功率(Pd):50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.7mΩ@10V,20A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):36A 功率(Pd):50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.7mΩ@10V,20A
SM4614BPRL
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):6A 功率(Pd):3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):44.1mΩ@10V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):4.2nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):940pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds):72pF@15V 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):6A 功率(Pd):3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):44.1mΩ@10V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):4.2nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):940pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds):72pF@15V 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
2SC4110T4TL
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:400V 电流:25A NPN 晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):25A 集射极击穿电压(Vceo):400V 功率(Pd):160W
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:400V 电流:25A NPN 晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):25A 集射极击穿电压(Vceo):400V 功率(Pd):160W
NJW0302GT4TL
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):250V 集电极电流(Ic):15A 功率(Pd):150W 集电极截止电流(Icbo):50mA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@10A,1A 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):75@1A,5V 工作温度:+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):250V 集电极电流(Ic):15A 功率(Pd):150W 集电极截止电流(Icbo):50mA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@10A,1A 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):75@1A,5V 工作温度:+150℃@(Tj)