SPS

场效应管(MOSFET)

类型：1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：44.1mΩ@10V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：4.2nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：940pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：72pF@15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)