MAPLESEMI
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MSF10065G1
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):650V 平均整流电流(Io):10A 正向压降(Vf):1.45V@10A 反向电流(Ir):2μA@650V
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):650V 平均整流电流(Io):10A 正向压降(Vf):1.45V@10A 反向电流(Ir):2μA@650V
SLP32N20C
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):32A 功率(Pd):256W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@10V,16A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):50nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):1.56nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds):150pF@25V 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):32A 功率(Pd):256W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@10V,16A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):50nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):1.56nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds):150pF@25V 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
MSP10065G1
供应商: Anychip Mall
分类: SiC肖特基二极管
描述: 封装/外壳:TO-220-2 正向浪涌电流Ifsm:105A 反向峰值电压Vrrm:650V 反向电压Vr:650V 正向电流If:10A
供应商: Anychip Mall
分类: SiC肖特基二极管
描述: 封装/外壳:TO-220-2 正向浪涌电流Ifsm:105A 反向峰值电压Vrrm:650V 反向电压Vr:650V 正向电流If:10A