MAPLESEMI

MSD02120V1
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：1.2kV 平均整流电流(Io)：9.5A 正向压降(Vf)：1.4V@2A 反向电流(Ir)：2μA@1.2kV

SLF80R380SJ
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：800V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：32W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：340mΩ@10V,7.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：43nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：800pF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：10pF@25V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

SLF50R140SJ
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：500V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：31W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：120mΩ@10V,12.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：70nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.44nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：11pF@25V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

SLW18N50C
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：TO-3P

SLF16N50S
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

SLF60R160S2
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：24A 功率(Pd)：47W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：140mΩ@10V,12A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：49nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.48nF@100V 反向传输电容(Crss@Vds)：4.8pF@100V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

SLF70R420S2
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：700V 连续漏极电流(Id)：11A 功率(Pd)：130W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：370mΩ@10V,5.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：24nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：673pF@100V 反向传输电容(Crss@Vds)：2.3pF@100V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

SLF18N50C
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

MSP06065G1
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：650V 平均整流电流(Io)：22A 正向压降(Vf)：1.4V@6A

SLF13N50C
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：500V 连续漏极电流(Id)：13A 功率(Pd)：40W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：386mΩ@10V,6.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：44nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.894nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：2pF@25V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)