SLP32N20C
品牌
MAPLESEMI
供应商
分类
场效应管(MOSFET)
描述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：32A 功率(Pd)：256W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：80mΩ@10V,16A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：50nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.56nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：150pF@25V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)