MN638SVL-RP

品牌
SPTECH
供应商
分类
晶体管 > 达林顿三极管
描述
硅NPN达林顿功率晶体管

物料参数

特性:带预偏置电阻及保护二极管
安装类型:SMT
集射极击穿电压Vce(Max):350V
包装:Tube packing
极性:NPN
跃迁频率:-
存储温度:-40℃~+150℃
封装/外壳:TO-263(D²Pak)
工作温度:-55℃~+200℃
集电极-发射极电压 VCEO:350V
配置:单路
最小包装:50
发射极与基极之间电压 VEBO:6V
高度:4.70mm
晶体管类型:NPN
DC电流增益(hFE):500@4A,2V