CRMICRO
商品列表
CRTD063N04L
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):80A 功率(Pd):92W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.3mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.3V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):80A 功率(Pd):92W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.3mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.3V@250μA
CRST065N08N
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):85V 连续漏极电流(Id):80A 功率(Pd):164W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,50A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):85V 连续漏极电流(Id):80A 功率(Pd):164W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,50A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA
CRTD110N03L
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):40W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11mΩ@10V,12A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250μA N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):40W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11mΩ@10V,12A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250μA N沟道
CRST040N10N
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):120A 功率(Pd):227W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,50A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):120A 功率(Pd):227W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,50A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA