CRMICRO
商品列表
CRSQ027N10N
供应商: Anychip Mall
分类: 通用MOSFET
描述: 封装/外壳：TO-247-3 FET类型：N-Channel 工作温度：-55°C~150℃ 栅极电压Vgs：±20V 漏源极电压Vds：100V
供应商: Anychip Mall
分类: 通用MOSFET
描述: 封装/外壳：TO-247-3 FET类型：N-Channel 工作温度：-55°C~150℃ 栅极电压Vgs：±20V 漏源极电压Vds：100V
CS20N50ANR
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：TO-3P FET类型：N-Channel 工作温度：-55℃~150℃ 栅极电压Vgs：±30V 漏源极电压Vds：500V
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：TO-3P FET类型：N-Channel 工作温度：-55℃~150℃ 栅极电压Vgs：±30V 漏源极电压Vds：500V
CR7N65A4K
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：108W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.2Ω@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：24nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.08nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：3.2pF@25V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：108W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.2Ω@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：24nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.08nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：3.2pF@25V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
CRG75T65AK5HD
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT管
描述: 光伏逆变 储能 UPS 电源 用 VCE=650V Ic=75A Ptot=465W Vce(sat)=1.65V 175℃ 替代英飞凌infineon IKW75N65EH5 士兰 SGTP75V65FDB1P7
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT管
描述: 光伏逆变 储能 UPS 电源 用 VCE=650V Ic=75A Ptot=465W Vce(sat)=1.65V 175℃ 替代英飞凌infineon IKW75N65EH5 士兰 SGTP75V65FDB1P7