CRMICRO

CRSS028N10N
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

CRSD082N10L2
供应商: Anychip Mall
分类: 通用MOSFET
描述: 封装/外壳：TO-252 FET类型：N-Channel 工作温度：-55℃~150℃ 栅极电压Vgs：±20V 漏源极电压Vds：100V

SKD502T
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：174W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.5mΩ@10V,50A

CRSS038N08N
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：208W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.8mΩ@10V,50A N沟道

CRSM053N08N
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：79W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.7mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：55nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：3.086nF@40V 反向传输电容(Crss@Vds)：26pF@40V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

CRTT029N06N
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：220A 功率(Pd)：254W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.3Ω@10V,80A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：183nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：7.83nF@30V 反向传输电容(Crss@Vds)：577pF@30V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

CRTS260N10N
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

CRSS037N10N
供应商: Anychip Mall
分类: 未分类
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：227W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.7mΩ@10V,50A N沟道

CRTD084NE6N
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

CRSS063N08N
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：164W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.3mΩ@10V,50A