SEMIQ
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GHXS030A120S-D1
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
描述: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 30A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 二极管类型: Single Phase 技术: 碳化硅肖特基 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - 峰值反向（最大值）: 1.2 kV 电流 - 平均整流 (Io): 30 A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V @ 30 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 200 µA @ 1200 V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
描述: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 30A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 二极管类型: Single Phase 技术: 碳化硅肖特基 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - 峰值反向（最大值）: 1.2 kV 电流 - 平均整流 (Io): 30 A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V @ 30 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 200 µA @ 1200 V
GP3D010A065A
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: SIC SCHOTTKY DIODE 650V TO220
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管类型: 碳化硅肖特基 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 650 V 电流 - 平均整流 (Io): 10A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.6 V @ 10 A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25 µA @ 650 V 不同 Vr、F 时电容: 419pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-2 供应商器件封装: TO-220-2 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 基本产品编号: GP3D010
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: SIC SCHOTTKY DIODE 650V TO220
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管类型: 碳化硅肖特基 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 650 V 电流 - 平均整流 (Io): 10A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.6 V @ 10 A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25 µA @ 650 V 不同 Vr、F 时电容: 419pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-2 供应商器件封装: TO-220-2 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 基本产品编号: GP3D010
GP3D008A065A
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: SIC SCHOTTKY DIODE 650V TO220
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 8A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: 336pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-2 供应商器件封装: TO-220-2 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 650 V 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.6 V @ 8 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 20 µA @ 650 V 基本产品编号: GP3D008
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: SIC SCHOTTKY DIODE 650V TO220
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 8A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: 336pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-2 供应商器件封装: TO-220-2 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 650 V 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.6 V @ 8 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 20 µA @ 650 V 基本产品编号: GP3D008
GP2D010A065A
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO220-2
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: Digi-Key 停止提供 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 30A（DC） 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: 527pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-2 供应商器件封装: TO-220-2 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 650 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.65 V @ 10 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA @ 650 V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO220-2
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: Digi-Key 停止提供 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 30A（DC） 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: 527pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-2 供应商器件封装: TO-220-2 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 650 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.65 V @ 10 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA @ 650 V
GSID300A120S5C1
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MOD 1200V 430A 1630W
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 IGBT 类型: - 配置: 三相反相器 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.25V @ 15V，300A 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 是 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 供应商器件封装: 模块 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 430 A 功率 - 最大值: 1630 W 电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 30 nF @ 25 V 基本产品编号: GSID300
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MOD 1200V 430A 1630W
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 IGBT 类型: - 配置: 三相反相器 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.25V @ 15V，300A 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 是 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 供应商器件封装: 模块 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 430 A 功率 - 最大值: 1630 W 电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 30 nF @ 25 V 基本产品编号: GSID300
GHXS045A120S-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOT SBD 1200V 45A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 45A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7V @ 45A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 300µA @ 1200V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOT SBD 1200V 45A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 45A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7V @ 45A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 300µA @ 1200V
GSXD100A020S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 200V 100A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 100A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 920 mV @ 100 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 200 V 基本产品编号: GSXD100
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 200V 100A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 100A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 920 mV @ 100 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 200 V 基本产品编号: GSXD100
GHIS080A120S-A1
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MOD 1200V 160A 480W SOT227
IGBT类型: 沟槽型场截止 配置: 单路 电压-集射极击穿（最大值）: 1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）: 160A 功率-最大值: 480W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）: 2.6V @ 15V，80A 电流-集电极截止（最大值）: 2mA 不同 Vce时的输入电容（Cies）: 10.3nF @ 30V 输入: 标准 NTC热敏电阻: 无 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MOD 1200V 160A 480W SOT227
IGBT类型: 沟槽型场截止 配置: 单路 电压-集射极击穿（最大值）: 1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）: 160A 功率-最大值: 480W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）: 2.6V @ 15V，80A 电流-集电极截止（最大值）: 2mA 不同 Vce时的输入电容（Cies）: 10.3nF @ 30V 输入: 标准 NTC热敏电阻: 无 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227
GSXD080A012S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 120V 80A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 80A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 120 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 880 mV @ 80 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 120 V 基本产品编号: GSXD080
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 120V 80A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 80A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 120 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 880 mV @ 80 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 120 V 基本产品编号: GSXD080
GSXF100A040S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE FAST REC 400V 100A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 100A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 400V 反向恢复时间 (trr): 90ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3V @ 100A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25µA @ 400V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE FAST REC 400V 100A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 100A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 400V 反向恢复时间 (trr): 90ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3V @ 100A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25µA @ 400V