SEMIQ
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GPA015A120MN-ND
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 1200V 30A 212W TO3PN
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停产 IGBT 类型: NPT 和沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 30 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 45 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.5V @ 15V，15A 功率 - 最大值: 212 W 开关能量: 1.61mJ（开），530µJ（关） 输入类型: 标准 栅极电荷: 210 nC 25°C 时 Td（开/关）值: 25ns/166ns 测试条件: 600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr): 320 ns 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装: TO-3PN
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 1200V 30A 212W TO3PN
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停产 IGBT 类型: NPT 和沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 30 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 45 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.5V @ 15V，15A 功率 - 最大值: 212 W 开关能量: 1.61mJ（开），530µJ（关） 输入类型: 标准 栅极电荷: 210 nC 25°C 时 Td（开/关）值: 25ns/166ns 测试条件: 600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr): 320 ns 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装: TO-3PN
GSXD030A008S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 80V 30A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 30A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 80V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 840mV @ 30A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1mA @ 80V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 80V 30A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 30A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 80V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 840mV @ 30A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1mA @ 80V
GP2D003A060C
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY 600V 3A DPAK-2
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 零件状态: 停产 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 3A（DC） 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: 158pF @ 1V，1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装: TO-252-2L（DPAK） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 600 V 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.65 V @ 3 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 600 V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY 600V 3A DPAK-2
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 零件状态: 停产 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 3A（DC） 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: 158pF @ 1V，1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装: TO-252-2L（DPAK） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 600 V 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.65 V @ 3 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 600 V
GCMS040A120B1H1
供应商: DigiKey
分类: 功率驱动器模块
描述: SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 类型: MOSFET 配置: - 电压 - 隔离: 2500Vrms 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 电源模块 电流: 42 A 电压: 1.2 kV 基本产品编号: GCMS040
供应商: DigiKey
分类: 功率驱动器模块
描述: SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 类型: MOSFET 配置: - 电压 - 隔离: 2500Vrms 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 电源模块 电流: 42 A 电压: 1.2 kV 基本产品编号: GCMS040
GSXD060A020S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 200V 60A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 60A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 920 mV @ 60 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 200 V 基本产品编号: GSXD060
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 200V 60A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 60A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 920 mV @ 60 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 200 V 基本产品编号: GSXD060
GHXS050A170S-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: 1700V 50A SIC SBD PARALLEL
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 150A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1700 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.9 V @ 50 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 750 µA @ 1700 V 基本产品编号: GHXS050
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: 1700V 50A SIC SBD PARALLEL
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 150A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1700 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.9 V @ 50 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 750 µA @ 1700 V 基本产品编号: GHXS050
GP2D005A120C
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK-2
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 零件状态: Digi-Key 停止提供 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 5A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: 317pF @ 1V，1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装: TO-252-2L（DPAK） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200 V 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.8 V @ 5 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 1200 V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK-2
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 零件状态: Digi-Key 停止提供 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 5A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: 317pF @ 1V，1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装: TO-252-2L（DPAK） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200 V 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.8 V @ 5 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 1200 V
GSXD060A015S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 150V 60A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 60A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 150 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 880 mV @ 60 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 150 V 基本产品编号: GSXD060
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 150V 60A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 60A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 150 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 880 mV @ 60 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 150 V 基本产品编号: GSXD060
GSXF030A040S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE FAST REC 400V 30A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 30A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 400 V 反向恢复时间 (trr): 60 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V @ 30 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25 µA @ 400 V 基本产品编号: GSXF030
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE FAST REC 400V 30A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 30A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 400 V 反向恢复时间 (trr): 60 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V @ 30 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25 µA @ 400 V 基本产品编号: GSXF030
GSXF060A020S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE FAST REC 200V 60A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 60A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200V 反向恢复时间 (trr): 75ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1V @ 60A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25µA @ 200V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE FAST REC 200V 60A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 60A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200V 反向恢复时间 (trr): 75ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1V @ 60A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25µA @ 200V