SEMIQ
商品列表
GSXD060A006S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 60V 60A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 60A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 60 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 750 mV @ 60 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 60 V 基本产品编号: GSXD060
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 60V 60A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 60A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 60 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 750 mV @ 60 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 60 V 基本产品编号: GSXD060
GP3D010A120B
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管类型: 碳化硅肖特基 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200 V 电流 - 平均整流 (Io): 10A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.65 V @ 10 A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 20 µA @ 1.2 kV 不同 Vr、F 时电容: 608pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-2 供应商器件封装: TO-247-2 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 基本产品编号: GP3D010
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管类型: 碳化硅肖特基 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200 V 电流 - 平均整流 (Io): 10A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.65 V @ 10 A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 20 µA @ 1.2 kV 不同 Vr、F 时电容: 608pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-2 供应商器件封装: TO-247-2 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 基本产品编号: GP3D010
GSID150A120S6A4
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MOD 1200V 275A 1035W
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 散装 零件状态: 有源 IGBT 类型: - 配置: 单路 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 1.9V @ 15V，150A 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 是 工作温度: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 供应商器件封装: 模块 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 275 A 功率 - 最大值: 1035 W 电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 20.2 nF @ 25 V 基本产品编号: GSID150
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MOD 1200V 275A 1035W
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 散装 零件状态: 有源 IGBT 类型: - 配置: 单路 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 1.9V @ 15V，150A 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 是 工作温度: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 供应商器件封装: 模块 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 275 A 功率 - 最大值: 1035 W 电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 20.2 nF @ 25 V 基本产品编号: GSID150
GHXS050A060S-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 50A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 600 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.8 V @ 50 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA @ 600 V 基本产品编号: GHXS050
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 50A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 600 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.8 V @ 50 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA @ 600 V 基本产品编号: GHXS050
GDP24D060B
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO247-3
二极管配置: 1 对共阳极 二极管类型: 碳化硅肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 600V 电流-平均整流（Io）（每二极管）: 12A（DC） 不同If时的电压-正向（Vf: 1.7V @ 12A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 100µA @ 600V 工作温度-结: -55°C ~ 135°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247-3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO247-3
二极管配置: 1 对共阳极 二极管类型: 碳化硅肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 600V 电流-平均整流（Io）（每二极管）: 12A（DC） 不同If时的电压-正向（Vf: 1.7V @ 12A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 100µA @ 600V 工作温度-结: -55°C ~ 135°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247-3
GSXF060A060S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE FAST REC 600V 60A SOT22
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 60A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 600V 反向恢复时间 (trr): 90ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5V @ 60A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25µA @ 600V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE FAST REC 600V 60A SOT22
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 60A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 600V 反向恢复时间 (trr): 90ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5V @ 60A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25µA @ 600V
GSID100A120T2C1A
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MOD 1200V 200A 800W
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 散装 零件状态: 有源 IGBT 类型: - 配置: 三相反相器 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.1V @ 15V，100A 输入: 三相桥式整流器 NTC 热敏电阻: 是 工作温度: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 供应商器件封装: 模块 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 200A 功率 - 最大值: 800W 电流 - 集电极截止（最大值）: 1mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 13.7nF @ 25V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MOD 1200V 200A 800W
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 散装 零件状态: 有源 IGBT 类型: - 配置: 三相反相器 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.1V @ 15V，100A 输入: 三相桥式整流器 NTC 热敏电阻: 是 工作温度: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 供应商器件封装: 模块 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 200A 功率 - 最大值: 800W 电流 - 集电极截止（最大值）: 1mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 13.7nF @ 25V
GP2D010A120A
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: Digi-Key 停止提供 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 10A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: 635pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-2 供应商器件封装: TO-220-2 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200 V 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.8 V @ 10 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 20 µA @ 1200 V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: Digi-Key 停止提供 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 10A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: 635pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-2 供应商器件封装: TO-220-2 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200 V 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.8 V @ 10 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 20 µA @ 1200 V
GSXD100A010S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 100V 100A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 100A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 100 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 840 mV @ 100 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 100 V 基本产品编号: GSXD100
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 100V 100A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 100A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 100 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 840 mV @ 100 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 100 V 基本产品编号: GSXD100
GHXS010A060S-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SBD SCHOTT 600V 10A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 10A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 600 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V @ 10 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA @ 600 V 基本产品编号: GHXS010
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SBD SCHOTT 600V 10A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 10A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 600 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V @ 10 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA @ 600 V 基本产品编号: GHXS010