SEMIQ
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GSID150A120S3B1
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MODULE 1200V 300A 940W D3
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 散装 零件状态: 在售 IGBT 类型: - 配置: 2 个独立式 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2V @ 15V，150A 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 无 工作温度: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: D-3 模块 供应商器件封装: D3 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 300 A 功率 - 最大值: 940 W 电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 14 nF @ 25 V 基本产品编号: GSID150
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MODULE 1200V 300A 940W D3
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 散装 零件状态: 在售 IGBT 类型: - 配置: 2 个独立式 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2V @ 15V，150A 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 无 工作温度: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: D-3 模块 供应商器件封装: D3 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 300 A 功率 - 最大值: 940 W 电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 14 nF @ 25 V 基本产品编号: GSID150
GP3D010A065B
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: SIC SCHOTTKY DIODE 650V TO247-2
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管类型: 碳化硅肖特基 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 650 V 电流 - 平均整流 (Io): 10A（DC） 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.6 V @ 10 A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25 µA @ 650 V 不同 Vr、F 时电容: 419pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-2 供应商器件封装: TO-247-2 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 基本产品编号: GP3D010
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: SIC SCHOTTKY DIODE 650V TO247-2
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管类型: 碳化硅肖特基 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 650 V 电流 - 平均整流 (Io): 10A（DC） 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.6 V @ 10 A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25 µA @ 650 V 不同 Vr、F 时电容: 419pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-2 供应商器件封装: TO-247-2 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 基本产品编号: GP3D010
GSXD120A015S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 150V 120A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 120A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 150V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 880mV @ 120A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3mA @ 150V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 150V 120A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 120A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 150V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 880mV @ 120A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3mA @ 150V
GSXD080A006S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 60V 80A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停产 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 80A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 60 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 750 mV @ 80 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 60 V 基本产品编号: GSXD080
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 60V 80A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停产 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 80A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 60 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 750 mV @ 80 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 60 V 基本产品编号: GSXD080
GP2D005A170B
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY 1700V 5A TO247-2
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: Digi-Key 停止提供 二极管类型: 碳化硅肖特基 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1700 V 电流 - 平均整流 (Io): 5A（DC） 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.75 V @ 5 A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 1700 V 不同 Vr、F 时电容: 406pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-2 供应商器件封装: TO-247-2 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY 1700V 5A TO247-2
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: Digi-Key 停止提供 二极管类型: 碳化硅肖特基 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1700 V 电流 - 平均整流 (Io): 5A（DC） 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.75 V @ 5 A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 1700 V 不同 Vr、F 时电容: 406pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-2 供应商器件封装: TO-247-2 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C
GP2D020A065U
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: Digi-Key 停止提供 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 30A（DC） 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247-3 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 650 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.65 V @ 10 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA @ 650 V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: Digi-Key 停止提供 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 30A（DC） 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247-3 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 650 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.65 V @ 10 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA @ 650 V
GSXF120A120S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE FAST REC 1200V 120A SOT227
==SemiQ<: >==- ==管件<: >零件状态==有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 120A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200V 反向恢复时间 (trr): 135ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 2.35V @ 120A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25µA @ 1200V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE FAST REC 1200V 120A SOT227
==SemiQ<: >==- ==管件<: >零件状态==有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 120A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200V 反向恢复时间 (trr): 135ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 2.35V @ 120A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25µA @ 1200V
GP3D020A120U
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-3
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 20A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247-3 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200V 反向恢复时间 (trr): 0ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.65V @ 10A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 20µA @ 1.2kV
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-3
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 20A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247-3 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200V 反向恢复时间 (trr): 0ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.65V @ 10A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 20µA @ 1.2kV
GHIS060A120S-A1
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MOD 1200V 120A 680W SOT227
IGBT类型: 沟槽型场截止 配置: 单路 电压-集射极击穿（最大值）: 1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）: 120A 功率-最大值: 680W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）: 2.5V @ 15V，60A 电流-集电极截止（最大值）: 2mA 不同 Vce时的输入电容（Cies）: 8nF @ 30V 输入: 标准 NTC热敏电阻: 无 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MOD 1200V 120A 680W SOT227
IGBT类型: 沟槽型场截止 配置: 单路 电压-集射极击穿（最大值）: 1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）: 120A 功率-最大值: 680W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）: 2.5V @ 15V，60A 电流-集电极截止（最大值）: 2mA 不同 Vce时的输入电容（Cies）: 8nF @ 30V 输入: 标准 NTC热敏电阻: 无 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227
GSXD050A008S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 80V 50A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 50A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 80 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 840 mV @ 50 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 80 V 基本产品编号: GSXD050
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 80V 50A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 50A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 80 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 840 mV @ 50 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 80 V 基本产品编号: GSXD050