SEMIQ
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GCMS010A120S7B1
供应商: DigiKey
分类: 功率驱动器模块
描述: SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 类型: MOSFET 配置: 半桥 电压 - 隔离: 2500Vrms 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 电源模块 电流: 240 A 电压: 1.2 kV 基本产品编号: GCMS010
供应商: DigiKey
分类: 功率驱动器模块
描述: SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 类型: MOSFET 配置: 半桥 电压 - 隔离: 2500Vrms 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 电源模块 电流: 240 A 电压: 1.2 kV 基本产品编号: GCMS010
GSXF100A020S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE FAST REC 200V 120AA SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 120A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200V 反向恢复时间 (trr): 75ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1V @ 100A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25µA @ 200V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE FAST REC 200V 120AA SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 120A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200V 反向恢复时间 (trr): 75ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1V @ 100A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25µA @ 200V
GP2D030A065B
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SILICON CARBIDE
制造商: SemiQ 系列: * 包装: 管件 零件状态: Digi-Key 停止提供
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SILICON CARBIDE
制造商: SemiQ 系列: * 包装: 管件 零件状态: Digi-Key 停止提供
GSXF120A040S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE FAST REC 400V 120A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 120A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 400V 反向恢复时间 (trr): 100ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3V @ 120A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25µA @ 400V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE FAST REC 400V 120A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 120A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 400V 反向恢复时间 (trr): 100ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3V @ 120A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25µA @ 400V
GP2D020A170B
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY 1.7KV 20A TO247-2
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: Digi-Key 停止提供 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 20A（DC） 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: 1624pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-2 供应商器件封装: TO-247-2 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1700 V 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.75 V @ 20 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 40 µA @ 1700 V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY 1.7KV 20A TO247-2
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: Digi-Key 停止提供 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 20A（DC） 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: 1624pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-2 供应商器件封装: TO-247-2 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1700 V 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.75 V @ 20 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 40 µA @ 1700 V
GP2D060A120B
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTKY 1.2KV 182A TO247-2
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: Digi-Key 停止提供 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 182A（DC） 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: 3809pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-2 供应商器件封装: TO-247-2 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.8 V @ 60 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 µA @ 1200 V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTKY 1.2KV 182A TO247-2
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: Digi-Key 停止提供 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 182A（DC） 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: 3809pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-2 供应商器件封装: TO-247-2 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.8 V @ 60 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 µA @ 1200 V
GP3D020A120B
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SILICON CARBIDE
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 59A（DC） 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: 1179pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-2 供应商器件封装: TO-247-2 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200V 反向恢复时间 (trr): 0ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.65V @ 20A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 40µA @ 1.2kV
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SILICON CARBIDE
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 59A（DC） 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: 1179pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-2 供应商器件封装: TO-247-2 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200V 反向恢复时间 (trr): 0ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.65V @ 20A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 40µA @ 1.2kV
GSXD050A010S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 100V 50A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 50A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 100 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 840 mV @ 50 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 100 V 基本产品编号: GSXD050
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 100V 50A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 50A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 100 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 840 mV @ 50 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 100 V 基本产品编号: GSXD050
GPI040A060MN-FD
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 600V 80A 231W TO3PN
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 IGBT 类型: 沟槽型场截止 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.3V @ 15V，40A 开关能量: 1.46mJ（开），540µJ（关） 输入类型: 标准 25°C 时 Td（开/关）值: 35ns/85ns 测试条件: 400V，40A，5 欧姆，15V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-3 供应商器件封装: TO-3PN 电压 - 集射极击穿（最大值）: 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 80 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 120 A 功率 - 最大值: 231 W 栅极电荷: 173 nC 反向恢复时间 (trr): 60 ns
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 600V 80A 231W TO3PN
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 IGBT 类型: 沟槽型场截止 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.3V @ 15V，40A 开关能量: 1.46mJ（开），540µJ（关） 输入类型: 标准 25°C 时 Td（开/关）值: 35ns/85ns 测试条件: 400V，40A，5 欧姆，15V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-3 供应商器件封装: TO-3PN 电压 - 集射极击穿（最大值）: 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 80 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 120 A 功率 - 最大值: 231 W 栅极电荷: 173 nC 反向恢复时间 (trr): 60 ns
GP2D010A120B
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO247-2
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: Digi-Key 停止提供 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 10A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: 635pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-2 供应商器件封装: TO-247-2 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200 V 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.8 V @ 10 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 20 µA @ 1200 V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO247-2
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: Digi-Key 停止提供 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 10A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: 635pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-2 供应商器件封装: TO-247-2 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200 V 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.8 V @ 10 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 20 µA @ 1200 V