SEMIQ
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GSXF120A060S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE FAST REC 600V 120A SOT227
==SemiQ<: >==- ==管件<: >零件状态==有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 120A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 600V 反向恢复时间 (trr): 105ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5V @ 120A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25µA @ 600V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE FAST REC 600V 120A SOT227
==SemiQ<: >==- ==管件<: >零件状态==有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 120A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 600V 反向恢复时间 (trr): 105ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5V @ 120A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25µA @ 600V
GPA020A120MN-FD
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 1200V 40A 223W TO3PN
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 IGBT 类型: 沟槽型场截止 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.5V @ 15V，20A 开关能量: 2.8mJ（开），480µJ（关） 输入类型: 标准 25°C 时 Td（开/关）值: 30ns/150ns 测试条件: 600V，20A，10 欧姆，15V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-3 供应商器件封装: TO-3PN 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 40 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 60 A 功率 - 最大值: 223 W 栅极电荷: 210 nC 反向恢复时间 (trr): 425 ns
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 1200V 40A 223W TO3PN
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 IGBT 类型: 沟槽型场截止 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.5V @ 15V，20A 开关能量: 2.8mJ（开），480µJ（关） 输入类型: 标准 25°C 时 Td（开/关）值: 30ns/150ns 测试条件: 600V，20A，10 欧姆，15V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-3 供应商器件封装: TO-3PN 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 40 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 60 A 功率 - 最大值: 223 W 栅极电荷: 210 nC 反向恢复时间 (trr): 425 ns
GSXD080A010S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 100V 80A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 160A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 100 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 840 mV @ 80 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 100 V 基本产品编号: GSXD080
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 100V 80A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 160A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 100 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 840 mV @ 80 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 100 V 基本产品编号: GSXD080
GSXD160A015S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 150V 320A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 160A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 150 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 880 mV @ 160 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 150 V 基本产品编号: GSXD160
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 150V 320A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 160A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 150 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 880 mV @ 160 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 150 V 基本产品编号: GSXD160
GP3D012A065A
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: SIC SCHOTTKY DIODE 650V TO220
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管类型: 碳化硅肖特基 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 650 V 电流 - 平均整流 (Io): 12A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V @ 12 A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 30 µA @ 650 V 不同 Vr、F 时电容: 572pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-2 供应商器件封装: TO-220-2 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 基本产品编号: GP3D012
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: SIC SCHOTTKY DIODE 650V TO220
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管类型: 碳化硅肖特基 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 650 V 电流 - 平均整流 (Io): 12A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V @ 12 A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 30 µA @ 650 V 不同 Vr、F 时电容: 572pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-2 供应商器件封装: TO-220-2 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 基本产品编号: GP3D012
GSXD060A012S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 120V 60A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 60A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 120 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 880 mV @ 60 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 120 V 基本产品编号: GSXD060
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 120V 60A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 60A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 120 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 880 mV @ 60 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 120 V 基本产品编号: GSXD060
GSID200A120S3B1
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MODULE 1200V 400A 1595W D3
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 散装 零件状态: 在售 IGBT 类型: - 配置: 2 个独立式 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 400 A 功率 - 最大值: 1595 W 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 20 nF @ 25 V 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 无 工作温度: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: D-3 模块 供应商器件封装: D3 基本产品编号: GSID200
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MODULE 1200V 400A 1595W D3
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 散装 零件状态: 在售 IGBT 类型: - 配置: 2 个独立式 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 400 A 功率 - 最大值: 1595 W 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 20 nF @ 25 V 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 无 工作温度: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: D-3 模块 供应商器件封装: D3 基本产品编号: GSID200
GSXF030A060S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE FAST REC 600V 30A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停产 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 30A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 600 V 反向恢复时间 (trr): 60 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V @ 30 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25 µA @ 600 V 基本产品编号: GSXF030
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE FAST REC 600V 30A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停产 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 30A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 600 V 反向恢复时间 (trr): 60 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V @ 30 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25 µA @ 600 V 基本产品编号: GSXF030
GSXD300A170S2D5
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GP 1.7KV 300A ADD-A-PAK
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 散装 零件状态: 停產 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 300A（DC） 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 底座安装 封装/外壳: ADD-A-PAK（3） 供应商器件封装: ADD-A-PAK® 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1700V 反向恢复时间 (trr): 540ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.9V @ 300A
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GP 1.7KV 300A ADD-A-PAK
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 散装 零件状态: 停產 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 300A（DC） 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 底座安装 封装/外壳: ADD-A-PAK（3） 供应商器件封装: ADD-A-PAK® 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1700V 反向恢复时间 (trr): 540ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.9V @ 300A
GPA040A120MN-FD
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 1200V 80A 480W TO3PN
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 IGBT 类型: 沟槽型场截止 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.6V @ 15V，40A 开关能量: 5.3mJ（开），1.1mJ（关） 输入类型: 标准 25°C 时 Td（开/关）值: 55ns/200ns 测试条件: 600V，40A，5 欧姆，15V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-3 供应商器件封装: TO-3PN 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 80 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 120 A 功率 - 最大值: 480 W 栅极电荷: 480 nC 反向恢复时间 (trr): 200 ns
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 1200V 80A 480W TO3PN
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 IGBT 类型: 沟槽型场截止 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.6V @ 15V，40A 开关能量: 5.3mJ（开），1.1mJ（关） 输入类型: 标准 25°C 时 Td（开/关）值: 55ns/200ns 测试条件: 600V，40A，5 欧姆，15V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-3 供应商器件封装: TO-3PN 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 80 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 120 A 功率 - 最大值: 480 W 栅极电荷: 480 nC 反向恢复时间 (trr): 200 ns