SEMIQ

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GP2D008A065C
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SILICON CARBIDE
制造商: SemiQ 系列: * 包装: 管件 零件状态: Digi-Key 停止提供
GSXF120A100S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE FAST REC 1000V 120A SOT227
==SemiQ<: >==- ==管件<: >零件状态==有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): 120A 速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000V 反向恢复时间 (trr): 135ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 2.35V @ 120A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25µA @ 1000V
GSXD080A018S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 180V 80A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): 80A 速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 180 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 920 mV @ 80 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 180 V 基本产品编号: GSXD080
GSXF060A040S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE FAST REC 400V 60A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): 60A 速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400V 反向恢复时间 (trr): 75ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3V @ 60A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25µA @ 400V
GPA060A060MN-FD
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 600V 120A 347W TO3PN
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 IGBT 类型: 沟槽型场截止 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.3V @ 15V,60A 开关能量: 2.66mJ(开),1.53mJ(关) 输入类型: 标准 25°C 时 Td(开/关)值: 45ns/150ns 测试条件: 400V,60A,10 欧姆,15V 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-3 供应商器件封装: TO-3PN 电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 120 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 180 A 功率 - 最大值: 347 W 栅极电荷: 225 nC 反向恢复时间 (trr): 140 ns
GSXD050A015S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 150V 50A SOT227
Current-ReverseLeakage@Vr: 3 mA @ 150 V Current-AverageRectified(Io)(perDiode): 50A Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Category: Discrete Semiconductor ProductsDiodesRectifiersDiode Arrays RoHSStatus: ROHS3 Compliant ProductStatus: Active Package/Case: SOT-227-4, miniBLOC MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Affected MountingType: Chassis Mount Series: - SupplierDevicePackage: SOT-227 BaseProductNumber: GSXD050 Voltage-Forward(Vf)(Max)@If: 880 mV @ 50 A Technology: Schottky Voltage-DCReverse(Vr)(Max): 150 V OperatingTemperature-Junction: -40°C ~ 150°C Mfr: SemiQ Package: Tube HTSUS: 8541.10.0080 DiodeConfiguration: 2 Independent
GP3D040A120U
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-3
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): 40A 速度: 无恢复时间 > 500mA(Io) 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247-3 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1200 V 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.65 V @ 20 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 40 µA @ 1.2 kV 基本产品编号: GP3D040
GSXD160A008S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 80V 160A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): 160A 速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 80 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 840 mV @ 160 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 80 V 基本产品编号: GSXD160
GSXD160A012S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 120V 160A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停产 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): 160A 速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 120 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 880 mV @ 160 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 120 V 基本产品编号: GSXD160
GP3D040A065U
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: SIC SCHOTTKY DIODE 650V TO247-3
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 40A 速度: 无恢复时间 > 500mA(Io) 不同 Vr、F 时电容: 835pF @ 1V,1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247-3 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V @ 20 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 50 µA @ 650 V 基本产品编号: GP3D040