SEMIQ
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GHXS030A120S-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 30A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V @ 30 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 200 µA @ 1200 V 基本产品编号: GHXS030
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 30A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V @ 30 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 200 µA @ 1200 V 基本产品编号: GHXS030
GP2D060A120U
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: Digi-Key 停止提供 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 94A（DC） 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247-3 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.8 V @ 30 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 µA @ 1200 V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: Digi-Key 停止提供 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 94A（DC） 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247-3 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.8 V @ 30 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 µA @ 1200 V
GSID200A170S3B1
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MODULE 1200V 400A 1630W D3
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 散装 零件状态: 在售 IGBT 类型: - 配置: 2 个独立式 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 1.9V @ 15V，200A 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 无 工作温度: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: D-3 模块 供应商器件封装: D3 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 400 A 功率 - 最大值: 1630 W 电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 26 nF @ 25 V 基本产品编号: GSID200
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MODULE 1200V 400A 1630W D3
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 散装 零件状态: 在售 IGBT 类型: - 配置: 2 个独立式 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 1.9V @ 15V，200A 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 无 工作温度: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: D-3 模块 供应商器件封装: D3 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 400 A 功率 - 最大值: 1630 W 电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 26 nF @ 25 V 基本产品编号: GSID200
GHIS030A120S-A2
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MOD 1200V 60A 340W SOT227
IGBT类型: 沟槽型场截止 配置: 单路 电压-集射极击穿（最大值）: 1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）: 60A 功率-最大值: 340W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）: 2.5V @ 15V，30A 电流-集电极截止（最大值）: 1mA 不同 Vce时的输入电容（Cies）: 4nF @ 30V 输入: 标准 NTC热敏电阻: 无 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MOD 1200V 60A 340W SOT227
IGBT类型: 沟槽型场截止 配置: 单路 电压-集射极击穿（最大值）: 1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）: 60A 功率-最大值: 340W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）: 2.5V @ 15V，30A 电流-集电极截止（最大值）: 1mA 不同 Vce时的输入电容（Cies）: 4nF @ 30V 输入: 标准 NTC热敏电阻: 无 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227
GSID100A120T2C1
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MOD 1200V 200A 640W
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 散装 零件状态: 有源 IGBT 类型: - 配置: 三相反相器 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.1V @ 15V，100A 输入: 三相桥式整流器 NTC 热敏电阻: 是 工作温度: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 供应商器件封装: 模块 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 200A 功率 - 最大值: 640W 电流 - 集电极截止（最大值）: 1mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 13.7nF @ 25V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MOD 1200V 200A 640W
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 散装 零件状态: 有源 IGBT 类型: - 配置: 三相反相器 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.1V @ 15V，100A 输入: 三相桥式整流器 NTC 热敏电阻: 是 工作温度: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 供应商器件封装: 模块 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 200A 功率 - 最大值: 640W 电流 - 集电极截止（最大值）: 1mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 13.7nF @ 25V
GP2D008A065A
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SILICON CARBIDE
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: Digi-Key 停止提供 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 30A（DC） 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-2 供应商器件封装: TO-220-2 工作温度 - 结: - 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 650 V 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.45 V @ 30 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 9 µA @ 650 V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SILICON CARBIDE
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: Digi-Key 停止提供 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 30A（DC） 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-2 供应商器件封装: TO-220-2 工作温度 - 结: - 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 650 V 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.45 V @ 30 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 9 µA @ 650 V
GCMS020A120S1-E1
供应商: DigiKey
分类: 功率驱动器模块
描述: SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 类型: MOSFET 配置: 单相 电压 - 隔离: 2500Vrms 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 电流: 120A 电压: 1.2kV
供应商: DigiKey
分类: 功率驱动器模块
描述: SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 类型: MOSFET 配置: 单相 电压 - 隔离: 2500Vrms 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 电流: 120A 电压: 1.2kV
GSXD050A006S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 60V 50A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 50A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 60 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 750 mV @ 50 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 60 V 基本产品编号: GSXD050
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 60V 50A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 50A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 60 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 750 mV @ 50 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 60 V 基本产品编号: GSXD050
GHIS080A120S-A2
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MOD 1200V 160A 480W SOT227
IGBT类型: 沟槽型场截止 配置: 单路 电压-集射极击穿（最大值）: 1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）: 160A 功率-最大值: 480W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）: 2.6V @ 15V，80A 电流-集电极截止（最大值）: 2mA 不同 Vce时的输入电容（Cies）: 10.3nF @ 30V 输入: 标准 NTC热敏电阻: 无 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MOD 1200V 160A 480W SOT227
IGBT类型: 沟槽型场截止 配置: 单路 电压-集射极击穿（最大值）: 1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）: 160A 功率-最大值: 480W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）: 2.6V @ 15V，80A 电流-集电极截止（最大值）: 2mA 不同 Vce时的输入电容（Cies）: 10.3nF @ 30V 输入: 标准 NTC热敏电阻: 无 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227
GSXF120A020S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE FAST REC 200V 120A SOT227
==SemiQ<: >==- ==管件<: >零件状态==有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 120A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200V 反向恢复时间 (trr): 100ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1V @ 120A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25µA @ 200V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE FAST REC 200V 120A SOT227
==SemiQ<: >==- ==管件<: >零件状态==有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 120A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200V 反向恢复时间 (trr): 100ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1V @ 120A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25µA @ 200V