SEMIQ
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GSXD080A015S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 150V 80A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 80A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 150 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 880 mV @ 80 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 150 V 基本产品编号: GSXD080
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 150V 80A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 80A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 150 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 880 mV @ 80 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 150 V 基本产品编号: GSXD080
GSID100A120S5C1
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MOD 1200V 170A 650W
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 IGBT 类型: - 配置: 三相反相器 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.1V @ 15V，100A 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 是 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 供应商器件封装: 模块 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 170 A 功率 - 最大值: 650 W 电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 13.7 nF @ 25 V 基本产品编号: GSID100
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MOD 1200V 170A 650W
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 IGBT 类型: - 配置: 三相反相器 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.1V @ 15V，100A 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 是 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 供应商器件封装: 模块 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 170 A 功率 - 最大值: 650 W 电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 13.7 nF @ 25 V 基本产品编号: GSID100
GP2D005A060A
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY 600V 15A TO220-2
二极管类型: 碳化硅肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 600V 电流-平均整流（Io）: 15A（DC） 不同If时的电压-正向（Vf: 1.65V @ 5A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 0ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 20µA @ 600V 不同 Vr，F时的电容: 264pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-2 供应商器件封装: TO-220-2 工作温度-结: -50°C ~ 175°C
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY 600V 15A TO220-2
二极管类型: 碳化硅肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 600V 电流-平均整流（Io）: 15A（DC） 不同If时的电压-正向（Vf: 1.65V @ 5A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 0ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 20µA @ 600V 不同 Vr，F时的电容: 264pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-2 供应商器件封装: TO-220-2 工作温度-结: -50°C ~ 175°C
GP2D010A120U
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: Digi-Key 停止提供 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 17A（DC） 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247-3 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.8 V @ 5 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 1200 V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: Digi-Key 停止提供 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 17A（DC） 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247-3 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.8 V @ 5 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 1200 V
GPA040A120L-FD
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 1200V 80A 480W TO264
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 IGBT 类型: 沟槽型场截止 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.6V @ 15V，40A 开关能量: 5.3mJ（开），1.1mJ（关） 输入类型: 标准 25°C 时 Td（开/关）值: 55ns/200ns 测试条件: 600V，40A，5 欧姆，15V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装: TO-264 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 120A 功率 - 最大值: 480W 栅极电荷: 480nC 反向恢复时间 (trr): 200ns
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 1200V 80A 480W TO264
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 IGBT 类型: 沟槽型场截止 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.6V @ 15V，40A 开关能量: 5.3mJ（开），1.1mJ（关） 输入类型: 标准 25°C 时 Td（开/关）值: 55ns/200ns 测试条件: 600V，40A，5 欧姆，15V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装: TO-264 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 120A 功率 - 最大值: 480W 栅极电荷: 480nC 反向恢复时间 (trr): 200ns
GCMS040A120S1-E1
供应商: DigiKey
分类: 功率驱动器模块
描述: SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 类型: MOSFET 配置: 单相 电压 - 隔离: 2500Vrms 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 电流: 60 A 电压: 1.2 kV 基本产品编号: GCMS040
供应商: DigiKey
分类: 功率驱动器模块
描述: SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 类型: MOSFET 配置: 单相 电压 - 隔离: 2500Vrms 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 电流: 60 A 电压: 1.2 kV 基本产品编号: GCMS040
GSXD100A018S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 180V 100A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 100A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 180 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 920 mV @ 100 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 180 V 基本产品编号: GSXD100
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 180V 100A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 100A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 180 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 920 mV @ 100 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 180 V 基本产品编号: GSXD100
GSXD050A020S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 200V 50A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 50A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 920 mV @ 50 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 200 V 基本产品编号: GSXD050
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 200V 50A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 50A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 920 mV @ 50 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 200 V 基本产品编号: GSXD050
GP2D010A065C
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO252
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 卷带（TR） 零件状态: Digi-Key 停止提供 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 30A（DC） 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: 527pF @ 1V，1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装: TO-252，（D-Pak） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 650 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.65 V @ 10 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA @ 650 V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO252
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 卷带（TR） 零件状态: Digi-Key 停止提供 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 30A（DC） 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: 527pF @ 1V，1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装: TO-252，（D-Pak） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 650 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.65 V @ 10 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA @ 650 V
GSXD080A008S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 80V 80A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 80A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 80 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 840 mV @ 80 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 80 V 基本产品编号: GSXD080
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 80V 80A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 80A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 80 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 840 mV @ 80 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 80 V 基本产品编号: GSXD080