SEMIQ
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GHIS040A120S-A2
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MOD 1200V 80A 480W SOT227
IGBT类型: 沟槽型场截止 配置: 单路 电压-集射极击穿（最大值）: 1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）: 80A 功率-最大值: 480W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）: 2.6V @ 15V，40A 电流-集电极截止（最大值）: 1mA 不同 Vce时的输入电容（Cies）: 5.15nF @ 30V 输入: 标准 NTC热敏电阻: 无 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MOD 1200V 80A 480W SOT227
IGBT类型: 沟槽型场截止 配置: 单路 电压-集射极击穿（最大值）: 1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）: 80A 功率-最大值: 480W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）: 2.6V @ 15V，40A 电流-集电极截止（最大值）: 1mA 不同 Vce时的输入电容（Cies）: 5.15nF @ 30V 输入: 标准 NTC热敏电阻: 无 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227
GP2D024A065U
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SILICON CARBIDE
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: Digi-Key 停止提供 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 36A（DC） 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247-3 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 650 V 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.65 V @ 12 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 120 µA @ 650 V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SILICON CARBIDE
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: Digi-Key 停止提供 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 36A（DC） 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247-3 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 650 V 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.65 V @ 12 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 120 µA @ 650 V
GP2D020A065B
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY 650V 58A TO247-2
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: Digi-Key 停止提供 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 58A（DC） 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: 1054pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-2 供应商器件封装: TO-247-2 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 650 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.65 V @ 20 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 200 µA @ 650 V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY 650V 58A TO247-2
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: Digi-Key 停止提供 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 58A（DC） 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: 1054pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-2 供应商器件封装: TO-247-2 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 650 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.65 V @ 20 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 200 µA @ 650 V
GHXS030A060S-D1E
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
描述: BRIDGE RECT 1P 600V 30A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管类型: Single Phase 技术: 碳化硅肖特基 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - 峰值反向（最大值）: 600 V 电流 - 平均整流 (Io): 30 A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V @ 30 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA @ 600 V 基本产品编号: GHXS030
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
描述: BRIDGE RECT 1P 600V 30A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管类型: Single Phase 技术: 碳化硅肖特基 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - 峰值反向（最大值）: 600 V 电流 - 平均整流 (Io): 30 A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V @ 30 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA @ 600 V 基本产品编号: GHXS030
GP3D015A120B
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管类型: 碳化硅肖特基 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200 V 电流 - 平均整流 (Io): 15A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.6 V @ 15 A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 30 µA @ 1.2 kV 不同 Vr、F 时电容: 962pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-2 供应商器件封装: TO-247-2 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 基本产品编号: GP3D015
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管类型: 碳化硅肖特基 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200 V 电流 - 平均整流 (Io): 15A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.6 V @ 15 A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 30 µA @ 1.2 kV 不同 Vr、F 时电容: 962pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-2 供应商器件封装: TO-247-2 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 基本产品编号: GP3D015
GHIS060A120S-A2
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MOD 1200V 120A 680W SOT227
IGBT类型: 沟槽型场截止 配置: 单路 电压-集射极击穿（最大值）: 1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）: 120A 功率-最大值: 680W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）: 2.5V @ 15V，60A 电流-集电极截止（最大值）: 2mA 不同 Vce时的输入电容（Cies）: 8nF @ 30V 输入: 标准 NTC热敏电阻: 无 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MOD 1200V 120A 680W SOT227
IGBT类型: 沟槽型场截止 配置: 单路 电压-集射极击穿（最大值）: 1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）: 120A 功率-最大值: 680W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）: 2.5V @ 15V，60A 电流-集电极截止（最大值）: 2mA 不同 Vce时的输入电容（Cies）: 8nF @ 30V 输入: 标准 NTC热敏电阻: 无 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227
GP3D030A120U
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-3
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 30A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247-3 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200 V 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.6 V @ 15 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 30 µA @ 1.2 kV 基本产品编号: GP3D030
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-3
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 30A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247-3 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200 V 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.6 V @ 15 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 30 µA @ 1.2 kV 基本产品编号: GP3D030
GP2D005A120A
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220-2
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: Digi-Key 停止提供 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 5A（DC） 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: 317pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-2 供应商器件封装: TO-220-2 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200 V 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.8 V @ 5 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 1200 V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220-2
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: Digi-Key 停止提供 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 5A（DC） 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: 317pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-2 供应商器件封装: TO-220-2 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200 V 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.8 V @ 5 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 1200 V
GSXD100A008S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 80V 100A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 100A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 80 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 840 mV @ 100 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 80 V 基本产品编号: GSXD100
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 80V 100A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 100A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 80 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 840 mV @ 100 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 80 V 基本产品编号: GSXD100
GP2D006A065A
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: Digi-Key 停止提供 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 6A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: 316pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-2 供应商器件封装: TO-220-2 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 650 V 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.65 V @ 6 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 60 µA @ 650 V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: Digi-Key 停止提供 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 6A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: 316pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-2 供应商器件封装: TO-220-2 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 650 V 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.65 V @ 6 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 60 µA @ 650 V