SEMIQ
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GSXD080A004S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 45V 80A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 80A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 45 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 700 mV @ 80 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 45 V 基本产品编号: GSXD080
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 45V 80A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 80A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 45 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 700 mV @ 80 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 45 V 基本产品编号: GSXD080
GPA042A100L-ND
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 1000V 60A 463W TO264
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停产 IGBT 类型: NPT 和沟道 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.9V @ 15V，60A 开关能量: 13.1mJ（开），6.3mJ（关） 输入类型: 标准 25°C 时 Td（开/关）值: 230ns/1480ns 测试条件: 600V，60A，50 欧姆，15V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装: TO-264 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1000 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 60 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 120 A 功率 - 最大值: 463 W 栅极电荷: 405 nC 反向恢复时间 (trr): 465 ns
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 1000V 60A 463W TO264
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停产 IGBT 类型: NPT 和沟道 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.9V @ 15V，60A 开关能量: 13.1mJ（开），6.3mJ（关） 输入类型: 标准 25°C 时 Td（开/关）值: 230ns/1480ns 测试条件: 600V，60A，50 欧姆，15V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装: TO-264 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1000 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 60 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 120 A 功率 - 最大值: 463 W 栅极电荷: 405 nC 反向恢复时间 (trr): 465 ns
GSXF030A120S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE FAST REC 1200V 30A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停产 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 30A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200 V 反向恢复时间 (trr): 85 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 2.35 V @ 30 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25 µA @ 1200 V 基本产品编号: GSXF030
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE FAST REC 1200V 30A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停产 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 30A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200 V 反向恢复时间 (trr): 85 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 2.35 V @ 30 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25 µA @ 1200 V 基本产品编号: GSXF030
GP3D030A120B
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 30A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: 1762pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-2 供应商器件封装: TO-247-2 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200 V 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V @ 30 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 60 µA @ 1.2 kV 基本产品编号: GP3D030
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 30A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: 1762pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-2 供应商器件封装: TO-247-2 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200 V 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V @ 30 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 60 µA @ 1.2 kV 基本产品编号: GP3D030
GSID100A120T2P2
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MOD 1200V 200A 710W
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 散装 零件状态: 有源 IGBT 类型: - 配置: 三相反相器 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.1V @ 15V，100A 输入: 三相桥式整流器 NTC 热敏电阻: 是 工作温度: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 供应商器件封装: 模块 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 200A 功率 - 最大值: 710W 电流 - 集电极截止（最大值）: 1mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 13.7nF @ 25V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MOD 1200V 200A 710W
制造商: SemiQ 系列: Amp+™ 包装: 散装 零件状态: 有源 IGBT 类型: - 配置: 三相反相器 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.1V @ 15V，100A 输入: 三相桥式整流器 NTC 热敏电阻: 是 工作温度: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 供应商器件封装: 模块 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 200A 功率 - 最大值: 710W 电流 - 集电极截止（最大值）: 1mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 13.7nF @ 25V
GPA040A120L-ND
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 1200V 80A 455W TO264
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 IGBT 类型: NPT 和沟道 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.8V @ 15V，40A 开关能量: 5.8mJ（开），1.5mJ（关） 输入类型: 标准 25°C 时 Td（开/关）值: 41ns/200ns 测试条件: 600V，40A，5 欧姆，15V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装: TO-264 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 80 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 120 A 功率 - 最大值: 455 W 栅极电荷: 510 nC 反向恢复时间 (trr): 220 ns
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 1200V 80A 455W TO264
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 IGBT 类型: NPT 和沟道 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.8V @ 15V，40A 开关能量: 5.8mJ（开），1.5mJ（关） 输入类型: 标准 25°C 时 Td（开/关）值: 41ns/200ns 测试条件: 600V，40A，5 欧姆，15V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装: TO-264 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 80 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 120 A 功率 - 最大值: 455 W 栅极电荷: 510 nC 反向恢复时间 (trr): 220 ns
GSXD050A004S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 45V 50A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 50A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 45 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 700 mV @ 50 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 45 V 基本产品编号: GSXD050
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 45V 50A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 50A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 45 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 700 mV @ 50 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 45 V 基本产品编号: GSXD050
GSXF100A060S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE FAST REC 600V 100A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 100A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 600V 反向恢复时间 (trr): 90ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5V @ 100A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25µA @ 600V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE FAST REC 600V 100A SOT227
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 100A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 600V 反向恢复时间 (trr): 90ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5V @ 100A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25µA @ 600V
GHIS040A120S-A1
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MOD 1200V 80A 480W SOT227
IGBT类型: 沟槽型场截止 配置: 单路 电压-集射极击穿（最大值）: 1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）: 80A 功率-最大值: 480W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）: 2.6V @ 15V，40A 电流-集电极截止（最大值）: 1mA 不同 Vce时的输入电容（Cies）: 5.15nF @ 30V 输入: 标准 NTC热敏电阻: 无 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MOD 1200V 80A 480W SOT227
IGBT类型: 沟槽型场截止 配置: 单路 电压-集射极击穿（最大值）: 1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）: 80A 功率-最大值: 480W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）: 2.6V @ 15V，40A 电流-集电极截止（最大值）: 1mA 不同 Vce时的输入电容（Cies）: 5.15nF @ 30V 输入: 标准 NTC热敏电阻: 无 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227
GSID150A120S5C1
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MOD 1200V 285A 1087W
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 IGBT 类型: - 配置: 三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 285 A 功率 - 最大值: 1087 W 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.1V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 21.2 nF @ 25 V 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 是 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 供应商器件封装: 模块 基本产品编号: GSID150
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MOD 1200V 285A 1087W
制造商: SemiQ 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 IGBT 类型: - 配置: 三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 285 A 功率 - 最大值: 1087 W 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.1V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 21.2 nF @ 25 V 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 是 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 供应商器件封装: 模块 基本产品编号: GSID150