HUASHUO

HSCB2307
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：2.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：18mΩ@4.5V,8A

HSU3006
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：53W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.5mΩ@10V,30A

HSS2312
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：15mΩ@4.5V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250μA 栅极电荷(Qg@Vgs)：12nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：900pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：100pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

HSBB02P15
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：7.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：640mΩ@10V,1A

HSM4002
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：7.5A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：28mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

HSW6800
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：32mΩ@4.5V,4A

HSSK6303
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：450mΩ@4.5V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA

HSU6014
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：31.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：40mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

HSM4805
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：16mΩ@10V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA

HSBA15810C
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs PRPAK5X6 N-Channel 100A
安装类型: SMT 品牌: HUASHUO 功率耗散: 208mW 连续漏极电流Id@25℃: 100A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 100V 长x宽/尺寸: 5.30 x 6.35mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: PRPAK5x6 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 输入电容(Ciss)(Max): 4.725nF 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 3.7mΩ 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 100V 零件状态: Active 高度: 1.20mm 引脚数: 8Pin