LONTEN

LNDN12N65
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：42W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：640mΩ@10V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：41.9nC@0~10V 输入电容(Ciss@Vds)：2nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：7.4pF@25V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

LNE12N65
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：TO-263 栅极电压Vgs：30V 漏源极电压Vds：650V 连续漏极电流Id：12A Pd-功率耗散(Max)：150W

LSD65R180GF
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：34W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：180mΩ@10V,10A

LNC7N65
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

LSG65R950HT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：40<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>W</SPAN> 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：950mΩ@10V,2A

LND7N60
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

LSE65R180HT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：20A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：180mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4.5V@250μA

LSF60R280HT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：15A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：280mΩ@10V,7.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4.5V@250μA

LSF65R380GF
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：11A 功率(Pd)：125W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：380mΩ@10V,5.5A

LSB60R125HT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：216W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：125mΩ@10V,12.5A