LONTEN

LSB65R099GF
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：278W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：99mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA

LSE65R380HT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：11A 功率(Pd)：90W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：380mΩ@10V,5.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4.5V@250μA

LSF65R125HT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：25A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：125mΩ@10V,12.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4.5V@250μA

LNC10R180
供应商: Anychip Mall
分类: MOS(场效应管)
描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：23mΩ @ 8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：147W(Tc) 类型：N沟道

LNG06R062
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

LND10N60
供应商: Anychip Mall
分类: LND10N60
描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：900mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W 类型：N沟道

LNG04R035B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

LSE65R280HT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：15A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：280mΩ@10V,7.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4.5V@250μA

LSC80R350GT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：800V 连续漏极电流(Id)：15A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：350mΩ@10V,7.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4.5V@250μA

LSE65R125HT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：216W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：125mΩ@10V,12.5A