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LSD70R450GT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):700V 连续漏极电流(Id):11A 功率(Pd):33W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):450mΩ@10V,5.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):700V 连续漏极电流(Id):11A 功率(Pd):33W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):450mΩ@10V,5.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA
LSD65R570GT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):7A 功率(Pd):31W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):570mΩ@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):7A 功率(Pd):31W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):570mΩ@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA
LSDN60R950HT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):25<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>W</SPAN> 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):950mΩ@10V,2A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):25<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>W</SPAN> 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):950mΩ@10V,2A
LSB60R039GT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):80A 功率(Pd):500W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):39mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA 高压超结系列
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):80A 功率(Pd):500W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):39mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA 高压超结系列
LSG65R930GT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):930mΩ@10V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):930mΩ@10V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA
LSB65R180HT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):146<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>W</SPAN> 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):150mΩ@10V,10A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):146<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>W</SPAN> 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):150mΩ@10V,10A
LSG65R380GF
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):11A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):380mΩ@10V,5.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):11A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):380mΩ@10V,5.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA