LONTEN

LSB65R125HT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：216W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：125mΩ@10V,12.5A

LMB60U60W4
供应商: Anychip Mall
分类: 快恢复
描述: 二极管配置：1对共阴极 直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：30A 正向压降(Vf)：2V@30A 反向电流(Ir)：10μA@600V 反向恢复时间(trr)：20ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

LNB20N65
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

LNG5N50
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

LSF65R180GF
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:650V 电流:20A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):205W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):180mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA

LNG06R140
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：45A 功率(Pd)：62.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：14mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.9V@250μA

LSH70R640GT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：700V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：83W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：640mΩ@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4.5V@250μA

LNE12N60
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：TO-263 栅极电压Vgs：30V 漏源极电压Vds：600V 连续漏极电流Id：12A Pd-功率耗散(Max)：150W

LSD60R170GT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：34W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：170mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4.5V@250μA

LSD60R070HT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)