LONTEN

LSD60R099HT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

LNC06R230
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：33A 功率(Pd)：50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：27mΩ@4.5V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

LSB60R092GF
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：278W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：92mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA

LSB60R280HT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：15A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：280mΩ@10V,7.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4.5V@250μA

LSNC60R180HT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道

LSGC085R041W3
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

LND4N65
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：TO-220F 栅极电压Vgs：30V 漏源极电压Vds：650V 连续漏极电流Id：4A Pd-功率耗散(Max)：32W

LNE10R180
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：147W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：18mΩ@10V,16A

LSG60R380HT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：11A 功率(Pd)：90<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>W</SPAN> 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：380mΩ@10V,5.5A

LNSC2302
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：42mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250μA N沟道 20V 4A