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LSF55R140GT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):550V 连续漏极电流(Id):23A 功率(Pd):205W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):140mΩ@10V,11.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA
LSGG10R085W3
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):65A 功率(Pd):96W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250μA
LSG80R2K8GT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):800V 连续漏极电流(Id):2A 功率(Pd):25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.2Ω@10V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):7.7nC@0~10V 输入电容(Ciss@Vds):238pF@100V 反向传输电容(Crss@Vds):1.47pF@100V 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
LNG045R140
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):45V 连续漏极电流(Id):43A 功率(Pd):54W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250μA
LNC7N60D
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
LSE60R180HT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):20A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):180mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA
LNC10N65
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):10A 功率(Pd):130W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1Ω@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA
LSG65R1K6GT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
LPSA3487
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.3A 功率(Pd):1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):46mΩ@10V,4.3A P沟道 -30V -4.3A
LSD65R380GT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):11A 功率(Pd):33W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):380mΩ@10V,5.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA