LONTEN

LNC2N60
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.6Ω@10V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：10.2nC@0~10V 输入电容(Ciss@Vds)：338pF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：3.4pF@25V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

LSH65R650HT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：650mΩ@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4.5V@250μA

LSGN10R085W3
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：96W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：10.5mΩ@4.5V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA

LSG65R1K5HT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：30W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,1.5A

LSB65R070GF
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：47A 功率(Pd)：290W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：70mΩ@10V,23.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA

LSE65R099GT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：40A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：99mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4.5V@250μA

LNH4N65
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：77W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.7Ω@10V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA

LNC08R220
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：45A 功率(Pd)：92W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：22mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

LSNC65R125HT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

LSE60R380HT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：11A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：380mΩ@10V,5.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4.5V@250μA