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LSF65R380HT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):11A 功率(Pd):90W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):380mΩ@10V,5.5A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):11A 功率(Pd):90W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):380mΩ@10V,5.5A
LNG045R210
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):45V 连续漏极电流(Id):35A 功率(Pd):54W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):21mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):45V 连续漏极电流(Id):35A 功率(Pd):54W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):21mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250μA
LNG05R075
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):50V 连续漏极电流(Id):80A 功率(Pd):110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):50V 连续漏极电流(Id):80A 功率(Pd):110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250μA
LSG60R2K5HT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):1.9A 功率(Pd):18W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5Ω@10V,950mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):1.9A 功率(Pd):18W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5Ω@10V,950mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA
LNC07R085H
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):70V 连续漏极电流(Id):85A 功率(Pd):125W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@5V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):70V 连续漏极电流(Id):85A 功率(Pd):125W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@5V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA
LSF80R350GT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):800V 连续漏极电流(Id):15A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):350mΩ@10V,7.5A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):800V 连续漏极电流(Id):15A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):350mΩ@10V,7.5A
LSD70R380GT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):700V 连续漏极电流(Id):11A 功率(Pd):33W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):380mΩ@10V,5.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):700V 连续漏极电流(Id):11A 功率(Pd):33W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):380mΩ@10V,5.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA
LSD70R640GT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):700V 连续漏极电流(Id):7A 功率(Pd):40W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):640mΩ@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):700V 连续漏极电流(Id):7A 功率(Pd):40W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):640mΩ@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA