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LSD65R105HF
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：34.8W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：96mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：49.8nC@0~10V 输入电容(Ciss@Vds)：2.87nF@100V 反向传输电容(Crss@Vds)：2.2pF@100V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：34.8W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：96mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：49.8nC@0~10V 输入电容(Ciss@Vds)：2.87nF@100V 反向传输电容(Crss@Vds)：2.2pF@100V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
LSD65R930GT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：29W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：930mΩ@10V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4.5V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：29W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：930mΩ@10V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4.5V@250μA
LPSC3487
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：46mΩ@10V,4.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA P沟道 -30V -4.3A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：46mΩ@10V,4.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA P沟道 -30V -4.3A
LND16N60
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：16A 功率(Pd)：44W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：500mΩ@10V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：16A 功率(Pd)：44W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：500mΩ@10V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA
LSG65R2K5GT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@10V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：9.5nC@0~10V 输入电容(Ciss@Vds)：127pF@100V 反向传输电容(Crss@Vds)：1.2pF@100V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@10V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：9.5nC@0~10V 输入电容(Ciss@Vds)：127pF@100V 反向传输电容(Crss@Vds)：1.2pF@100V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)