LONTEN

LSB55R050GT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：550V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：290W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：50mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4.5V@250μA

LND4N60
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

LSE65R180GT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：20A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：180mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4.5V@250μA

LPSC2301
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：780mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：110mΩ@4.5V,2A P沟道 -20V -2A

LND2N60
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

LNG04R050
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：100W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.2mΩ@4.5V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@250μA

LSG50R160HT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：500V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：130W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：160mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4.5V@250μA

LSGG06R034W3
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

LDD60U08W4
供应商: Anychip Mall
分类: 快恢复
描述: 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：8A 正向压降(Vf)：1.8V@8A 反向电流(Ir)：50μA@600V 反向恢复时间(trr)：19ns 工作温度：-50℃~+150℃@(Tj)

LNH2N65
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)