LONTEN

LNF7N65D
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：TO-262

LSD60R290HF
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：33.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：260mΩ@10V,7.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：18.9nC@0~10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.04nF@100V 反向传输电容(Crss@Vds)：1.4pF@100V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

LSD65R180GT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：34W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：180mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4.5V@250μA

LNG06R310
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：28A 功率(Pd)：50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：31mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.9V@250μA

LSB60R170GF
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：205W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：170mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：5V@250μA

LSE60R280HT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：15A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：280mΩ@10V,7.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4.5V@250μA

LND13N50
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：500V 连续漏极电流(Id)：13A 功率(Pd)：50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：460mΩ@10V,6..5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA

LNC06R140
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：45A 功率(Pd)：62.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：15mΩ@4.5V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.9V@250μA

LSB65R041GF
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>78A</SPAN> 功率(Pd)：500W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：41mΩ@10V,39A

LSGE085R065W3
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)