HAT2029R
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 Dual N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.2A RDS(ON)=26mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 30V |
| 功率耗散: | 1.78W |
| 阈值电压: | 2.5V@250µA |
| 原始制造商: | VBsemi Electronics Co. Ltd |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 6.2A |
| 封装/外壳: | SOIC8_150MIL |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 反向传输电容Crss: | 55pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 充电电量: | 3.7nC |
| 配置: | 单路 |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 26mΩ |
| 原产国家: | China Taiwan |
| 输入电容: | 586pF |
| 最小包装: | 4000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 栅极电荷(Qg): | 15nC |
| 晶体管类型: | 2个N沟道(双) |