SI2310

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT23

物料参数

安装类型:SMT
品牌:VBsemi
功率耗散:1.09W
包装:Tape/reel
连续漏极电流:3.1A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:3.04 x 1.40mm
封装/外壳:SOT-23
反向传输电容Crss:13pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
充电电量:2.1nC
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):86mΩ
原产国家:China Taiwan
输入电容:180pF
漏源电压(Vdss):60V
栅极电荷(Qg):6.1nC
高度:1.12mm
晶体管类型:N沟道
引脚数:3Pin