

SI2310
品牌
VBSEMI
供应商

分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT23
物料参数
安装类型: | SMT |
品牌: | VBsemi |
功率耗散: | 1.09W |
包装: | Tape/reel |
连续漏极电流: | 3.1A |
存储温度: | -55℃~+150℃ |
长x宽/尺寸: | 3.04 x 1.40mm |
封装/外壳: | SOT-23 |
反向传输电容Crss: | 13pF |
工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
充电电量: | 2.1nC |
配置: | 单路 |
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): | 86mΩ |
原产国家: | China Taiwan |
输入电容: | 180pF |
漏源电压(Vdss): | 60V |
栅极电荷(Qg): | 6.1nC |
高度: | 1.12mm |
晶体管类型: | N沟道 |
引脚数: | 3Pin |